半导体物理第3次课.pptVIP

半导体中的接触现象 半导体中的接触现象：半导体表面与环境欧姆接触(电极)肖特基势垒半导体异质结半导体-绝缘体界面 不匹配1、功函数；2、晶体结构；3、介电常数；4、 热学性能；4、机械性能 本章主要研究功函数不匹配引起的现象。 外电场中的半导体表面 假定半导体处于如图所示的外场中，金属板与半导体之间加一电场，电力线由金属到半导体表面。没有外场时，半导体表面能带平直，表面不带电荷。加上外场时，由于感应，在半导体表面感生出负电荷，其总量等于金属板上的电荷，类似与平板电容器。 屏蔽效应与空间电荷区 对金属而言，传导电子密度很高，所以电荷集中在表面极薄的一层内，大约为0.1纳米的量级． 对半导体而言，由于载流子密度较低，一般比金属中的电子密度低几个数量级，因此半导体不象金属那样对电场具有很强的屏蔽效应，而是在靠近表面的一定深度内产生一个空间电荷区。半导体中的电荷分布范围一般为几百埃至几千埃甚至更大。 空间电荷区的存在，使得半导体内部有电场存在，所以相应的产生一个电势分布，这个电势的存在将改变半导体中能级的位置。 能带弯曲 一般来说，金属与半导体间所加的电压大约0.1-10伏的数量级，所以相邻原子间的电压差很小，可以作为微扰处理(如果空间电荷区厚度为1000个原子层,则每个原子层分摊0.1mV-10mV)。 假定半导体的能带结构基本保持不变，则导带和价带相对体内来说整体有