半导体激光器半高宽(FWHM)计算(包含matlab仿真程序).docxVIP

半导体激光器半高宽(FWHM)计算 一、问题描述 Estimate the spot size (FWHM) in the lateral and transverse directions for a 1.3-um semiconductor laser whose active region is 0.2-um thick and 1-um wide. Assume u2=3.5and u1=3.2. 二、问题分析 单模半导体激光器的线宽通常定义为输出信号光谱的半高宽（FWHM）：full width at half maximum,功率函数峰值3dB处相距的频率宽度即为FWHM。 1.首先考虑TE模，即只考虑y方向，由书本第二章式2.5.10: 求其通解可以得到式2.5.14： 偶模： 奇模： 其中， 为包层折射率，为有源区折射率，为有效折射率，。 和在处连续，并且有边界条件： 2.考虑TM模，即只考虑x方向，由书本上式2.5.34: 可得到TM模的解： 类似的，求出方程的通解： 由题目可知如下参数：d=0.2um，w=0.1um， 计算：ue=sqrt(u1^2+GamaT*(u2^2-u1^2)); 三、MATLAB仿真结果 TE模：fwhmvalue = 0.2930 TM模：fwhmvalue = 1.0220 四、总结 本次实验的主要内容为求解半导体激光器的FWHM。通过非微扰特征方程，求特征方程的通解，结合边界条件求解。考虑横模TE和纵模TM两种情况，分别进行求解。  附： 1.TE-mode %%TEmode FWHM clear all clc d=0.2; %um w=1; %um u1=3.2; u2=3.5; lamada=1.3; k0=2*pi/lamada; D=k0*sqrt((u2^2-u1^2))*d; GamaT=D^2/(2+D^2); ue=sqrt(u1^2+GamaT*(u2^2-u1^2)); lamda=1.3; %um k0=2*pi/lamda; k=k0*sqrt(u2*u2-ue*ue); gamma=k0*sqrt(ue*ue-u1*u1); Ae=1.6; Be=Ae*0.882; y=-1:0.0005:1; phi_y=zeros(1,length(y)); for i=1:length(y) if (abs(y(i))=d/2) phi_y(i)=(Ae*cos(k*y(i))).^2; else phi_y(i)=(Be*exp(-gamma*(abs(y(i))-d/2))).^2; end end figure plot(y,phi_y) xlabel(Thickness d (um)); ylabel((pih_y)^2) title(Transverse Modes FWHM) hold on grid on phi_mid=max(phi_y)/2; y_mid=zeros(1,2); for i=1:(length(y)-1)/2 if (abs(phi_y(i)-phi_mid)0.01) y_mid(1)=y(i); end end for i=(length(y)+1)/2:length(y) if (abs(phi_y(i)-phi_mid)0.01) y_mid(2)=y(i); end end plot(y_mid(1),phi_mid,gp,y_mid(2),phi_mid,rp) fwhmvalue=abs(y_mid(2)-y_mid(1)) % um 2.TM-mode %%TMmode FWHM clear all clc d=0.2; %um clc clf w=1; %um u1=3.2; u2=3.5; lamada=1.3; k0=2*pi/lamada; D=k0*sqrt((u2^2-u1^2))*d; GamaT=D^2/(2+D^2); ue=sqrt(u1^2+GamaT*(u2^2-u1^2)); lamda=1.3; %um k0=2*pi/lamda; k=1.4745; gamma=k0*sqrt(ue*ue-u1*u1) Ae=1.6; Be=Ae*0.745; x=-3:0.0005:3; phi_x=zeros(1,length(x)); for i=1:length(x) if (abs(x(i))=w/2) phi_x(i)=(Ae*cos(k*x(i))).^2; else phi_x(i)=(Be*exp(-gamma*(abs(x(i))-w/2))).^2; end end figure plot(x,phi_