上页 下页 后退 模拟电子 模拟电子技术基础 上页 下页 返回 杂质半导体 在本征半导体硅或锗中掺入微量的其它适当元素后所形成的半导体 根据掺杂的不同,杂质半导体分为 N型导体 P型导体 1. N型半导体 掺入五价杂质元素(如磷、砷)的杂质半导体 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 掺入少量五价杂质元素磷 P +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 P 多出一个电子 出现了一个正离子 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 P + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + 半导体中产生了大量的自由电子和正离子 c. 电子是多数载流子,简称多子;空穴是少数载流 子,简称少子。 e. 因电子带负电,称这种半导体为N(negative)型或 电子型半导体。 f. 因掺入的杂质给出电子,又称之为施主杂质。 b. N型半导体中产生了大量的(自由)电子和正离子。 可见: d. np× nn=K(T) a. N型半导体是在本征半导体中掺入少量五价杂质 元素形成的。 g.负 电 荷 = 受主杂质产生的(majority)+ 本征激发产生的(minority); 正电荷(空穴) = 受主负杂质离子(majority
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