黑龙江大学半导体物理考试大纲.docVIP

PAGE PAGE 6 黑龙江大学硕士研究生入学考试大纲 考试科目名称：半导体物理 考试科目代码：[071] 一、考试要求 全面地掌握半导体物理的基础知识，内容包括半导体的晶格结构、半导体中的电子状态、杂志和缺陷能级、载流子的统计分布，非平衡载流子及载流子的运动规律； p-n结、异质结、金属半导体接触、表面及MIS结构等半导体表面和界面问题；以及半导体的光、热、磁、压阻等物理现象。 二、考试内容 第一章 半导体中的电子状态 §1、半导体的晶格结构和结合性质 半导体硅、锗的晶体结构（金刚石型结构）及其特点； 半导体的闪锌矿型结构及其特点 §2、半导体中的电子状态和能带 电子共有化运动； 晶体中的电子运动服从布洛赫定理； 布洛赫波函数的意义； 半导体（硅、锗）能带的特点； 用能带理论解释导体、半导体、绝缘体的导电性。 §3、半导体中电子的运动 有效质量 导带中E（k）与k的关系； 价带顶附近电子的运动； 有效质量的意义 §4、本征半导体的导电机构 空穴 导电条件：有外加电压，有载流子； 载流子产生的途径； 导电机构（电子导电、空穴导电）。 §5、回旋共振 利用回旋共振实验测量有效质量； k空间等能面； 回旋共振原理及条件。 §6、硅和锗的能带结构 硅和锗的导带结构； 硅和锗的价带结构； 在硅、锗的能带图中指出导带底和价带顶的位置及禁带宽度。 §7、III-V族化合物半导体的能带结构 化合物半导体的种类； 化合物半导体的共同特性； 化合物半导体能带结构的一般特征； 掌握砷化镓的能带结构。 第二章 半导体中杂质和缺陷能级 §1、硅、锗晶体中的杂质能级 晶体中杂质基本情况； 硅、锗晶体中的施主杂质和受主杂质及其电离能； 浅能级杂质电离能计算——类氢模型； 杂质补偿作用； 深能级杂质。 §2、III-V族化合物中的杂质能级 杂质在砷化镓中的存在形式； 各类杂质在砷化镓、磷化镓中的杂质能级。 §3、缺陷、位错能级 掌握点缺陷和位错缺陷对半导体性能的影响。 第三章 半导体中载流子的统计分布 §1状态密度 k空间的状态密度； 导带和价带能量状态密度。 §2、费米能级和载流子的统计分布 掌握费米分布函数和玻耳兹曼分布函数及费米能级的意义； 费米能级的数值与温度、半导体材料的导电类型、杂质浓度及零点的选取有关，电子浓度、空穴浓度表达式的意义； 导带电子浓度和价带空穴浓度公式。 §3、本征半导体的载流子浓度 本征半导体费米能级； 本征半导体的载流子浓度； 热平衡条件写出本征半导体的电中性方程，并导出费米能级的表达式； 了解通过测量不同温度下本征载流子浓度如何得到绝对零度时的禁带宽度； 正确使用热平衡判断式 。 §4、杂质半导体的载流子浓度 根据电中性方程导出各个温度区间的费米能级和载流子浓度表达式； 在掺杂浓度一定地情况下，能够解释多子浓度随温度地变化关系； 能够较熟练地计算室温下地载流子浓度和费米能级（n型和p型）； 杂质电离程度与温度、掺杂浓度及杂质电离能有关。 §5、一般情况下的载流子统计分布 电中性方程的一般形式及费米能级； 掌握半导体同时含有施主杂质和受主杂质情况下电中性方程的一般表达式，能较熟练地分析和计算半导体的载流子浓度和费米能级。 §6、简并半导体 简并化条件； 简并半导体的载流子浓度； 简并半导体杂质不能充分电离； 杂质带导电 第四章 半导体的导电性 §1、载流子的漂移运动 迁移率 半导体中载流子的运动形式； 欧姆定律的微分形式； 载流子的漂移运动； §2、电阻率及杂质浓度和温度的关系 散射对载流子运动的影响； 散射结构——电离杂质散射、晶格振动散射、等同的能谷间散射、其它散射机构（中性杂质散射、位错散射）。 §3、迁移率与杂质浓度和温度的关系 平均自由时间和散射几率的关系； 迁移率与平均自由时间和有效质量的关系； 迁移率与杂质浓度和温度的关系。 §4、电阻率及其与杂质浓度和温度的关系 电阻率与杂质浓度的关系；电阻率与温度的关系； 不同导电类型半导体的电阻率，并注意杂质和温度这两个因素对电阻率的影响。 §5、玻尔兹曼方程 电导率的统计理论 玻尔兹曼方程 电导率的统计理论 §6、强电场下的效应 热载流子 主要可以从载流子与晶格振动散射时的能量交换过程来说明强电场下欧姆定律发生偏离的原因； 平均漂移速度与电场强度的关系。 §7、多能谷散射 耿氏效应 耿氏效应原理及其与半导体的能带结构有关——负阻效应； 掌握产生耿氏效应（负阻效应）的基本原理及定性描述砷化镓能带结构的特点。 第五章 非平衡载流子 §1、非平衡载流子的注入与复合 非平衡载流子及其产生，光注入条件； 非平衡载流子引起的附加电导率； 净复合率。 §2、非平衡载流子的寿命 非平衡载流子的衰减规律； 非平衡载流子的寿命（少子寿命）。 §3、准费米