半导体物理第五章教材.ppt

* (二) 光激发载流子的衰减 * * 作 业 5.8 5.12 5. 17 5.18 * (一) 样品足够厚 非平衡载流子尚未到达样品的另一端，几乎均已消失，因此，该情况同无限厚的样品。 等于A B=0 1. 解的具体形式 * 非平衡载流子复合前扩散进半导体的平均深度(平均距离)为： 其中的Lp表示空穴在边扩散边复合过程中，减少至原值的1/e时所扩散的距离，标志着非平衡载流子深入样品的平均距离，称为扩散长度。由扩散系数(一般有标准数据)和材料的寿 命决定。 2. 空穴扩散长度Lp * 3. 空穴扩散速度vdp 表明向内扩散的空穴流的大小如同表面的空穴以vdp的 速度向内运动 * 样品厚度为W，且在样品另一端将非平衡少数载流子全部引出。 1. 解的具体形式 (二) 样品厚度一定 边界条件 * * 表明非平衡载流子浓度在样品 内呈线性分布。其浓度梯度为： 扩散流密度为： 是一常数，意味着非平衡载流子 在样品中没有复合。 * 三、电子的扩散定律和稳态扩散方程 电子扩散流密度 电子扩散系数 * 四、载流子的扩散电流密度 载流子的扩散运动形成扩散电流。 空穴扩散电流密度 电子扩散电流密度 * 五、三维情况下空穴的扩散运动 假定载流子在各个方向的扩散系数相同。 (一) 扩散