模拟电子技术基础3课件.ppt

场效应晶体管及其电路分析 第一篇 电子器件基础 精选 * 1.3.1场效应晶体管结构特性与参数 1、绝缘栅场效应管(IGEFT) NMOS增强型结构示意图与电路符号 （2）三个集：源集，栅（门）集，漏集 （1）二个PN结：衬源，衬漏 工艺特点： 源漏高掺杂 栅绝缘电阻大 NMOS结构 精选 * 1、绝缘栅场效应管(IGEFT)（续） PMOS增强型结构示意图与电路符号 （2）三个集：源集，栅（门）集，漏集 （1）二个PN结：衬源，衬漏 工艺特点： 源漏高掺杂 栅绝缘电阻大 精选 * 2、NMOS增强型工作原理 （1）VGS增加形成反型层，大于VT产生沟道，漏源之间形成导电通路 **衬源和 衬漏之间加反向偏置** 精选 * 2、NMOS增强型工作原理（续1） （2）加入VDS形成漏源电流 精选 * 2、NMOS增强型工作原理（续2） （3）继续加大VGS， 沟道变宽，沟道R变小，ID增加 **场效应管是电压控制型器件** **场效应管导电由N+的多子形成，单极型器件，T特性好** NMOS工作原理1 精选 * 2、NMOS增强型工作原理（续3） （4）继续加大VDS， ID适当增加，源-漏电位逐步升高，沟道预夹断 精选 * 2、NMOS增强型工作原理（续4） （5）预夹断后继续加大VDS，沟道夹断，ID恒定 **漏源增加的电压降在夹断区** NMOS工作原理2 精选 * 3、N沟道耗尽型MOSFET （1）SIO2中预埋正离子 （3）υGS负到V GS(off)(VP示)，沟道消失 （2）VGS=0时就存在内建电场，形成沟道 精选 * 4、结型场效应管(JFET) （1）N沟道和P沟道JFET结构与符号 **JFET正常工作时，两个PN结必须反偏 ** **NJFET ** **PJFET ** 精选 * （2）N沟道JFET的工作原理 **VDD=0，沟道宽度随VGG增而窄，沟道R增，ID降，耗尽型** 精选 * （2）N沟道JFET的工作原理（续1） **VGG不变，VDD增加，沟道上窄下宽ID线性增，直至预夹断** **初始沟道宽度由VGG决定** 精选 * （2）N沟道JFET的工作原理（续2） **VGG不变，预夹断后VDD增加，增加的电压降在沟道上，ID不变** 精选 * 5、场效应管类型 （1）绝缘栅型（Insulated Gate Type） FET N沟道（Channel）增强（Enhancement）型MOS N沟道耗尽（Depletion）型MOS P沟道增强型MOS P沟道耗尽型 MOS （2）结型（Junction Type）JFET N沟道(耗尽Depletion)型JFET P沟道(耗尽Depletion)型JFET 精选 * 场效应管的典型应用 输出回路电流由输入电压控制 输入回路产生电压VGS 三端器件构成2个回路 场效应管的主要半导体机理 ——电压控制电流源作用 精选 * 1、增强型NMOS场效应管伏安特性 （1）增强型NMOS管转移特性 **场效应管是电压控制型器件*** 场效应晶体管特性参数 ** IDO漏极电流当VGS =2VT *** 精选 * （2）增强型NMOS管输出特性 (a)截止区： (b)可变电阻区(?)： **VDS较小，沟道未夹断ID受其影响** (c)放大区： **VDS足够大沟道夹断，ID不随VDS变化** 1、增强型NMOS场效应管伏安特性（续1） 精选 * **IDSS，VGS=0时漏极电流** 2、耗尽型MOS场效应管和结型FET伏安特性 **转移特性** **输出特性** 精选 * 3、场效应管的主要参数 (1)直流参数 增强型管开启电压V GS(th)(VT) 耗尽型管夹断电压V GS(off)(VP) 耗尽型管在VGS=0时的饱和区漏极电流IDSS VDS=0时，栅源电压VGS与栅极电流IG之比----直流输入电阻R GS(DC) 精选 * (2)交流参数 低频跨导(互导)gm 交流输出电阻rds (3)极限参数 最大漏源电压V(BR)DS：漏极附近发生雪崩击穿时的VDS 最大栅源电压V(BR)GS：栅极与源极间PN结的反向击穿电压 最大耗散功率P 精选 * 3、场效应管工作状态估算 例1:VDD=18V,Rs=1KΩ，Rd=3KΩ，Rg=3MΩ，耗尽型MOS管的VP=-5V,IDSS=10mA。试用估算法求电路的静态工作点 精选 * 例2:分压式自偏压共源放大电路中，已知转移特性，VDD=15V,Rd=5kΩ,Rs=2.5kΩ,R1=200kΩ，R2=300kΩ，Rg=10MΩ，负载电阻RL=5kΩ，并设电容C1、C2和Cs足够大。已知场效应管的特性曲线试用图解法分