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SF SF 工艺说明 产品名称 单晶硅电池片 编号 SF5.405.010GGS 产品图号 SF5.405.010 版号 01 工位名称 一次清洗 工位编号 YCQX 需要人数 第1张共8 张 流向 KS 1.目的 确保单晶硅片扩散前的清洗腐蚀的工艺处于稳定的受控状态 2.使用范围 适用于单晶硅片扩散前的清洗腐蚀工序 3.责任 本工艺说明由技术部负责 4.硅片检验 4.1 将包装箱打开，查看规格、电阻率、厚度、单多晶、厂家、编号是否符合要求； 4.2 检查硅片是否有崩边、裂纹、针孔、缺角、油污、划痕、凹痕；(见附图一、二) 4.3 将不合格品放置规定碎片盒子内 ，作统一处理。 5.装片（见附图三） 5.1 片盒保持干净，片盒底部衬以海绵，将硅片插入片盒中，每盒最多插25片硅片。 5.2 禁止手与片盒、硅片直接接触，必须戴塑料洁净手套或乳胶手套操作。每插100张硅片，需更换手套。 5.3 操作中严禁工作服与硅片和片盒接触。 6.上料（见附图四） 6.1 硅片插完后，取出片盒底部的海绵，扣好压条。 6.2 将已插好硅片的片盒整齐、有序的装入包塑的不锈钢花篮中，每篮12个片盒，片盒之间有适当的间隔。 7化学腐蚀液的配制 7.1 准备：将各槽中破损硅片等杂质清除，用去离子水将各槽壁冲洗干净。 7.2 配制：向5、6、8、10#槽中注满去离子水，1-4、7、9#槽中注入约一半深度的去离子水，按照“7.3” 比例分别向各槽加入指定量的化学药品，再注去离子水达到指定的高度。 更改标记 数量 更改单号 签 名 日 期 签 名 日 期 第1 页 拟 制 审 核 共 8页 标准化 批 准 旧底图总号 底 图 总 号 日 期 签 名 SF SF 工艺说明 产品名称 单晶硅电池片 编号 SF5.405.010GGS 产品图号 SF5.405.010 版号 01 工位名称 一次清洗 工位编号 YCQX 需要人数 第2张共8张 流向 KS 7.3 化学腐蚀液的配制比例 　槽号 1#槽 2-4#槽 7# 9#槽 功能 去损伤层 制绒 去Na2SiO3 去金属离子 清洗液组成 氢氧化钠 氢氧化钠 异丙醇 硅酸钠 氢氟酸 盐酸 NaOH NaOH IPA Na2SiO3·9 H2O HF HCl 标准浓度（克/升） 40±5 18±5 5±2 3±1 53±5 84±5 加入试剂 9千克 2千克 12升 6千克 16升 32升 加入试剂（瓶) 18 4 3 12 4 8 液面高度（厘米） 42 32 32 32 30 30 7.4 配制溶液要求： 7.4.1 配料顺序：1#槽按水、氢氧化钠的顺序；2-4#槽按硅酸钠、氢氧化钠、异丙醇的顺序。 7#槽按水、氢氟酸、水的顺序；9#槽按水、盐酸、水的顺序。 7.4.2 时间要求：2-4#槽按硅酸钠、氢氧化钠配制完毕后，需等待10分钟之后硅酸钠、氢氧化钠完全溶解后，才能加异丙醇。1#槽配制完毕后,温度达到工艺要求之后，同时2-4#槽的其中一槽加硅酸钠、氢氧化钠10分钟后，才可进硅片。 7.4.3 异丙醇加液要求：需用塑料管或漏斗将异丙醇加到制绒槽的底部，在硅片进入1#槽之后才能加异丙醇，减少异丙醇的挥发。 8.各化学药品规格及要求 8.1 氢氧化钠：电子纯，容量500克/瓶，浓度 ≥98%。 8.2 异丙醇：电子纯，容量4升/瓶，浓度≥99.9%，密度0.78克/毫升。 8.3 硅酸钠：电子纯，容量500克/瓶。 8.4 盐酸：MOS级，容量4升/瓶，浓度36%～38%，密度1.18克/毫升。 8.5 氢氟酸：MOS级，容量4升/瓶，浓度≥49%，密度1.13克/毫升 。 9.工艺过程化学药品的补加（同附表二） 9.1 工艺过程7、9#槽不需补加化学药品，1-4#槽每清洗一篮硅片按以下要求补加： 槽号 1#槽 2～4#槽 每清洗一篮硅片 排液(cm) 补加NaOH 补加NaOH 补加IPA 1.5±0.5 25±10g 25±10g 4升（一瓶） 备注 清洗停止1小时以上，每停1小时，需补加2升IPA，最多补加6升（1.5瓶）。 更改标记 数量 更改单号 签 名 日 期 签 名 日 期 第 2页 拟 制 审 核 共 8页 标准化 批 准 旧底图总号 底 图 总 号 日 期 签 名 SF SF 工艺说明 产品名称 单晶硅电池片 编号 SF5.405.010GGS 产品图号 SF5.405.010 版号 01 工位名称 一次清洗 工位编号 YCQX 需要人数 第3张共8张 流向 KS 10.各槽化学液更换频率（同附表三） 工艺正常操作时（不允许全部