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MOSFET参数理解及测试项目方法  MOSFET产品部 MOSFET简要介绍 MOSFET （Metal – Oxide - Semiconductor Field Effect Transistor)--- 金属-氧化物-半导体场效应晶体管。 MOSFET根据导电沟道形成机理可分为： 1、增强型 2、耗尽型 MOSFET根据导电载流子的带电极性可分为： 1、PMOS 2、NMOS MOSFET简要介绍 MOS管结构及符号图 (a) 内部结构断面示意图 (b) N沟道符号，P沟道符号 G： 栅极 D： 漏极 S： 源极 MOSFET 参数理解及测试方法 MOSFET参数很多，一般 Datasheet 包含以下参数： 极限参数： VDS：额定漏-源电压，此电压的大小由芯片设计决定。 VGS：额定栅-源电压，此电压的大小由芯片设计决定。 ID： 额定最大漏源电流。是指场效应管正常工作时，漏源间所允许通过的最 大电流。场效应管的工作电流不应超过ID 。特定温度下，此