ic工教材资料艺ch-1材料跟工艺概要.pptVIP

* * * * * 沟道长度0.13?m 特征尺寸 ?? ~ 15 inch ~ 2 cm2 Chip Wafer ?=300mm MEMC Electronic Materials, * 摩尔定理：由Intel创始人之一的Moore提出的，被人认为可以获得诺贝尔经济学奖的定理 一块芯片上的晶体管数目大约每隔12个月翻一番（1964年）（1975年修订为18个月） 实现途径：晶体管尺寸减小；芯片尺寸增大； Moore’s Low Moore’s Low World Semiconductor Trade System From: 器件（电路）设计 测试与验证 版图设计与制造 芯片制造 测试?封装?测试 器件生产基本过程 SoC—— System on Chip 芯片系统集成 MEMS—— Micro-Electronic Mechanic System 微电子机械系统 OEIC——Optoelectronic Integrated Circuit 光电子集成系统 MOMES 1）、微电子机械系统（MEMS） 微电子技术与精密机械技术相结合，将微型传感器（力、热、光、电、磁、声）、微型执行器（如：机械）、信号处理与控制电路、接口电路、通信系统以及电源集成一体。 目前主要用硅材料和介质膜通过光刻技术实现 厚：20~30?m 直径：4mm 转速：200rpm 物理要点：振动的质量块电容极板在非惯性系统中受到科氏力的作用，质量块移动而引起电容的变化。 Lab on Chip 2）、光电子集成芯片 以微电子加工技术为基础，将激光器、光调制器、光开关等等光子器件通过光波导的互连而优化集成在一个芯片上，实现各种系统功能。 硅基材料、光学晶体、光学薄膜 激光多普勒速度仪（LiNbO3） 3）、DNA芯片* 基本思想是通过施加电场等措施，使一些特殊的物质能够反映出某种基因的特性。 制作高密度的特定的探针阵列性芯片——进行基因识别和分析 “生物成分分析芯片” ——LoS（Lab on System） 5、微电子技术的发展趋势 1）集成电路： 超大（单元数、芯片面积）——超微（关键尺寸） 多功能、高性能（快速、低功耗、抗干扰）、 SoC（System on Chip） 低成本 高可靠性 2）工艺技术： 大直径材料（8”、12”、15”、。。。） 光刻极限 (0.35→0.13、90nm→40nm、25nm→?） 新结构器件（应变硅、纳电子技术、高k介质。。。） 超纯环境和材料（半导体材料、介质材料、试剂）、新测试和封装技术 单项技术（压印光刻技术等 3）新领域： MEMS：多样化、小型化、与控制电路集成 纳电子：量子线/点微结构、集成化、工作温度 新材料电子器件：有机分子电路、自旋器件 光子晶体：短波长、局域生长、三维材料、 参数可控 硅光子学：（硅光电集成系统） 特征尺寸减小、芯片和晶圆尺寸增大、缺陷密度减小、 内部连线水平提高、芯片成本降低 学习该课程应注意认识到工艺中： 1、基础知识应用上的综合性 2、技术面上的综合性 3、与器件（电路）的紧密相关性 4、与可靠性、性价比的关系 始终要问的问题： 机理是什么？如何测量？与同类工艺的的比较？与前后工艺是否兼容？是否影响器件的可靠性？综合成本如何？ * * * * * * Semiconductor Materials Basic Principle of IC Planar Processing半导体材料和集成电路平面工艺基础 References：(Materials) 3. 材料科学与技术丛书—半导体工艺， K. A. 杰克逊 等 主编， （科学出版社，1999） Processing of Semiconductors, By Kenneth A. Jackson and Wolfgang Schr?ter, (Wiley-VCH, 1996); Ch1,Ch2 4. 半导体器件的材料物理学基础，陈治明 等，科技版，1999 5. 微电子技术工程—材料、工艺与测试，刘玉岭 等，（电子工业出版社， 2004） 1. Silicon Processing，By Stanley Wolf and Richard N. Tauber， （Lattice Press，2000）; Ch1, Ch2 2. Silicon VLSI Technology—Fundamentals, Practice and Modeling, By Lame D. Plummer et al, (Pearson Education, , 2000) ; Ch3