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For A Better World Environment Future Si基高效电池工艺路线汇总 前 言 高效晶硅电池技术发展现状 其他高效电池技术介绍 太阳能电池未来发展趋势 内容简介 1839年法国Becquerel报道光照在插入电解质的电极系统中产生光伏效应； 1954年贝尔实验室的三位专家研制成功效率为 6％的第一块单晶硅太阳电池。 纽约时报当时把这一突破性的成果称为“最终导致使无限阳光为人类文明服务的一个新时代的开始。” ——划时代的里程碑； 1958年硅电池首次在空间应用；1960年代电池效率大幅度提高，得到普遍应用。 1970年代初开始在地面应用，1970年代末地面用电池的量已大大超过空间电池； 1998年德国实施十万天棚计划。 2004年德国实施光伏法案，导致了太阳能光伏产业和光伏应用的迅猛发展。 1959年我国第一个实用太阳电池诞生； 1971年太阳电池首次应用于我国第二颗人造卫星—实践1号上； 1980年代我国引进国外关键设备或成套生产线，太阳电池产业初步形成。 2004年后我国大规模引进国外成套生产线，2007年成为光伏生产强国。 前 言 太阳能光伏发展简史 前 言 太阳能电池分类 当前晶硅太阳能电池的生产和使用占据主流市场地位，且在未来15~20年将仍然以晶体硅太阳能电池为主 太阳能光伏发电是利用太阳电池的光伏效应原理直接把太阳辐射能转变为电能的发电方式。典型的太阳电池是一个p-n结半导体二极管。 p型半导体及n型半导体 p-n结和内建电场的形成 电子／空穴对的产生－光生载流子 光伏效应－光生电压 电流收集和储存转换 前 言 太阳能电池工作原理 前 言 太阳能电池的效率（理论和实验室效率） 肖克利的太阳电池效率的理论计算 晶体管之父 William Bradford Shockley 或许没有想到，他关于半导体的工作不仅引发了一次产业革命，在数十年后又为另外一个庞大行业提供了研究的基础。1961年，他与 Queisser 通过理论计算发现，效率极限与材料的带隙有关，具有最高理论转换效率的材料是GaAs，其极限效率接近32%，而Si的极限效率要低一些。 虽然Shockley预言了半导体太阳电池的极限效率，但是他的结果仅适用了单个p-n结的器件，随着 技术日益完善，采用新材料、具有复杂结构的新型光伏器件的制备技术已经出现 。对于多个p-n结结构的多结叠层电池和采用纳米技术制备的新材料和新结构的电池而言，它们不受 Shockley 极限的限制，以至可获得超过40%甚至50%的效率。 William Bradford Shockley (February 13, 1910 – August 12, 1989) 前 言 太阳能电池的效率（理论和实验室效率） 实验室各类型高效电池记录里程碑 （晶硅电池最高效率为24.7％，保持世界记录至今） 高效晶硅电池技术发展现状 ——影响太阳能电池效率的主要因素 太阳电池效率的损失机理 高效晶硅电池技术发展现状 ——减少光学损失的技术方向 高效晶硅电池技术发展现状 ——减少光学损失的技术（表面织构化） 常规电池生产工艺中的表面织构化技术 根据单晶硅碱制绒各项异性腐蚀的特点，利用强碱+制绒辅助剂，形成金字塔形貌的低反射率织构化表面。工艺控制要点主要为： 制绒时间 药液配比 制绒温度 根据晶硅酸制绒各项同性腐蚀的特点，利用HF+HNO3混合酸液，形成蜂窝状低反射率织构化表面。工艺控制要点主要为： 制绒时间 药液配比 制绒温度 高效晶硅电池技术发展现状 ——减少光学损失的技术（表面织构化） 干法制绒之RIE技术——反应离子刻蚀表面织构化技术 RIE制绒后的SEM照片 RIE设备一般是由PECVD改装而来，该工艺主要是利用SF6/O2或Cl2等离子体对硅片表面的刻蚀来制绒，由于Cl2具有毒性，所以常常使用SF6/O2作为反应气体。SF6/O2的等离子体经过加速后到达硅片表面，对硅片发生刻蚀，从而形成几百纳米的绒面结构。该方法的优点是可以同时对单晶和多晶硅片进行制绒，制得绒面均匀性好，反射率低；缺点是反应生成的气体具有一定毒性，同时在硅片表面形成一层损伤层，需要通过湿法腐蚀去除。 高效晶硅电池技术发展现状 ——减少光学损失的技术（表面织构化） 干法制绒之激光技术——激光刻槽和飞秒激光制绒表面织构化技术 激光刻槽制绒SEM照片 飞秒激光制绒SEM照片 激光刻槽制绒是直接用激光在硅片表面扫描刻槽，由