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第3章 80C51单片机的存储器结构
3.1 存储器的分类
存储器的的作用是用来存放程序和数据,存储器可分为磁存储和半导体存储器,半导体存储器按功能又可分为只读存储器ROM和随机存储器RAM,如图3-1所示。单片机存储器结构中都采用半导体存储器。
1. 只读存储器ROM
只读存储器在正常工作状态下只能从中读出数据,用户不能快速地随时修改或者重新写入数据,数据可长时间的保存。
(1)可编程ROM,可通过专用设备(编程器)将数据写入ROM。
PROM:用户可一次编程;
EPROM:紫外线擦除,电改写(多次);
EEPROM:电擦除,电改写(多次);
FLASHROM:闪存(多次)。
(2)掩膜ROM
用户不能将数据写入,由厂家写入数据。
由于上述特点,所以在单片机中一般做为程序存储器。
2. 随机存取存储器RAM
在加电期间,可以随时向存储器里写入数据或从中读出数据,但掉电后,数据丢失。
SRAM:静态存储器,加电期间数据可以长久保存,掉电信息丢失。
DRAM:动态存储器,即使在加电期间数据也会丢失(数据要刷新)。
由于上述特点,所以在单片机中一般作为数据储存器。
3.2 计算机中储存器的两种结构
在计算机中存储器的用途是存放程序和数据,它有两种结构:冯•诺伊曼结构和哈佛结构。
冯•诺伊曼结构:程序和数据共用一个存储器逻辑空间,统一编址。
哈佛结构:程序与数据分为两个独立存储器逻辑空间,分开编址。
注: ★ 个人电脑(PC机)采用的是冯•诺伊曼结
构;
★ 单片机一般采用哈佛结构(8051);
★ 8051(80C51)单片机,数据存储器用的是
SRAM程序存储器用的是ROM。
3.3 80C51单片机的储存器
3.3.1 8051(80C51)系列存储器结构
1. 物理空间有四个部分
(1)内部数据存储器(128B SRAM)。
(2)外部扩展数据存储器(最大64K
RAM)。
(3)内部程序存储器(4K FlashROM
AT89S51)。
(4)外部扩展程序存储器(最大64K
RAM)。
2. 逻辑空间有三个部分
(1)程序存储器ROM:包括内部和外部,共用一个64K的寻址空间。
(2)内部数据存储器RAM(128B),独立的一个128B的寻址空间。
(3)外部数据存储器RAM(64K),独立的一个64K的寻址空间。
如图3-2所示。
★内部数据存储器和外部数据存储器相互之间独立编址,
★内部程序存储器和外部程序存储器统一编址,共用一个64K的寻址空间。
3.3.2 数据储存器
数据存储器是采用了静态随机存储器(SRAM)的结构,掉电信息丢失,故用于暂存数据及运算的中间结果。
1. 内部数据存储器的结构
内部数据储存器它由工作寄存器区、位寻址区、用户区三个部分组成,地址范围00H~7FH,共128个单元。用户对这些单元的访问,可以用“直接寻址”的方法,即在指令中用“direct”表示,指的就是00H~7FH这128个地址单元,指令中直接给出操作数所在单元地址的这种寻址方式称之为“直接寻址”。 何为寻址方式,即寻找操作数的方法。
图3-3 内部数据存储器结构
(1)工作寄存器区(00H~1FH)
共32个单元,又分为4组,每组8个单元,都用R0~R7表示,如图3-4所示,
个寄存器对应的地址见表3-1所示
在内部工作寄存器中的地址是唯一,但寄存器名重名,一个寄存器名对应有4个单元,为了解决重名问题,单片机用特殊功能寄存器PSW中的RS1、RS0来选择,也就是说,单片机在工作时不会同时使用这4组寄存器,在某一时刻,只能选择其中的一组。
工作寄存器组
地址
寄存器名
RS1
RS0
0组
00H~07H
R0~R7
0
0
1组
08H~0FH
R0~R7
0
1
2组
10H~17H
R0~R7
1
0
3组
18H~1FH
R0~R7
1
1
在指令系统中对于这些空间的访问有以下方法:
●直接使用地址,在指令系统中用“direct”表示,这种方式称之为直接寻址。
如:指令 MOV A , direct ;指令中的“direct”就是指内部数据存储器中的地址(00H~7FH)
该指
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