第四章-常用传感器工作原理.pptVIP

关于施密特触发器 门电路组成的施密特触发器 CCD光敏元显微照片 彩色CCD显微照片（放大7000倍） 200万和1600万像素的面阵CCD 数码相机的结构解剖（索尼F828） ★暗电阻：无光照时的阻值，一般为兆欧量级。亮电阻：受光照时的阻值，一般为千欧以下。 ★光敏电阻响应时间一般为2～50ms ★光谱特性：可见光——硫化镉(CdS)，硒化镉(CdSe)；紫外光——氧化锌(ZnO)，硫化锌(ZnS)；红外光——硫化铅(PbS)，硒化铅(PbSe)。 ★非线性光照特性： 不适宜做检测光通量变化的元件，常用作开关式光电传感器。 二、光电池（基于光生伏特效应的光电元） ★ PN结的形成：在本征半导体中，掺以不同的杂质，使其一边成为Ｐ型，另一边成为Ｎ型，在Ｐ区和Ｎ区的交界面处就形成一个ＰＮ结。 扩散运动：由于载流子浓度差，Ｐ型区的空穴(多子)向Ｎ型区扩散，与N区的自由电子复合；Ｎ型区的电子(多子)向Ｐ型区扩散，与P区的空穴复合。扩散运动使Ｐ区失去空穴，留下负离子，Ｎ区失去电子，留下正离子，形成一个很薄的空间电荷区(ＰＮ结)。在这个区域内，多数载流子或已扩散到对方，或被对方扩散来的多数载流子(到了本区域后即成为少数载流子了)复合掉，即多数载流子被消耗尽了，故又称此区域为耗尽层，其电阻率很高，为高电阻区。 漂移运动：耗尽层形成的内电场将使N区的少数载流子(空穴)向P区漂移，使P区的少数载流子(电子)向N区漂移，漂移运动的方向正好与扩散运动的方向相反。扩散运动和漂移运动相互联系又相互矛盾，二者达到动平衡时，PN结保持一定宽度和一定的接触电位差。 ★光电池原理：在N型衬底上制造一薄层P型层作为光照敏感面，就构成最简单的光电池。当入射光子的能量足够大时，P型区每吸收一个光子就产生一对光生电子-空穴对，光生电子-空穴对的扩散运动使电子通过漂移运动被拉到N型区，空穴留在P区，所以N区带负电，P区带正电。如果光照是连续的，经短暂的时间，PN结两侧就有一个稳定的光生电动势输出。 + + + - - - P N ★用于光电池的半导体材料：硅，硒，锗，硫化镉等。 ★目前硅光电池应用最广泛，性能稳定，光谱范围宽(0.4～1.1um)，频率特性好，灵敏度6～8nA/(mm2·lx)，响应时间为μs至数十μs。 ★硅光电池可做成检测元件，用于测量光线的强弱；也可制成电源使用，如太阳能硅光电池。 光电池应用： （1）用作光电检测，可应用于红外探测、光电读出、光电耦合、特性识别、光电自动控制、光电测量等。 （2）用作能源，可组合成电池组，可将太阳能转换为电能与镍镉电池配套使用，可作为人造卫星、宇宙飞船、野外灯塔、无人气象站等的永久性电源。 光敏晶体管是一种利用受光照时载流子增加的半导体光电元件，具有一个P-N结的称为光敏二极管，具有两个P-N结的称为光敏三极管。 三、光敏晶体管 1、光敏二极管 光 透镜 光敏二极管P-N结 光生载流子 光电流 与光敏电阻相比，光敏二极管具有暗电流小，灵敏度高等优点。一般在可见光作光源时，采用硅管；探测红外线时，采用锗管。 光敏二极管阵列：包含1024个InGaAs(砷化铟镓)元件的线性光电二极管阵列，可用于分光镜。 光敏二极管外形： 案例：光电鼠标就是利用LED与光敏晶体管组合来测量位移。 2、光敏三极管 光敏三极管有两个PN结。与普通三极管相似，有电流增益，灵敏度比光敏二极管高。多数光敏三极管的基极没有引出线，只有正负（c、e）两个引脚，所以其外型与光敏二极管相似，从外观上很难区别。 光敏三极管内部结构 1—集电极引脚 2—管芯 3—外壳 4—玻璃聚光镜 5—发射极引脚 6—N+衬底 7—N型集电区 8—SiO保护圈 9—集电结 10—P型基区 11—N型发射区 12—发射结 a)?内部组成 b)管芯结构 c）结构简化图 四、固体图像传感器 固体图像传感器的核心器件多是CCD(Charge Coupled Device) ★ CCD以电荷作为信号，而不同于其他大多数器件是以电流或电压为信号。CCD的基本功能是电荷的存储和电荷转移。它存储由光或电激励产生的信号电荷，当对它施加特定时序的脉冲时，其存储的信号电荷便能在CCD内作定向传输。 ★构成CCD的基本单元是MOS (Metal-Oxide-Semiconductor)金属-氧化物-半导体)结构。 1、CCD的基本原理 CCD基本单元的结构 ★ 电荷存储：在栅极G施加正偏压之前，P型半导体中空穴(多数载流子)分布是均匀的。当栅极施加正偏压Ug(此时Ug小于P型半导体的阈值电压Uth)后，空穴被排斥，产生耗尽区，如图(b