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作业及答案 第一章 1、什么是P型半导体、N型半导体、PN结？ P型半导体：在纯净的硅晶体中掺入三价元素(如硼)，使之取代晶格中硅原子的位置，就形成P型半导体，亦可称为空穴型半导体。主要靠空穴导电。 N型半导体：在纯净的硅晶体中掺入五价元素(如磷)，使之取代晶格中硅原子的位置，就形成N型半导体，亦可称为电子型半导体。主要靠自由电子导电 PN结：采用不同的掺杂工艺，将P型半导体与N型半导体制作在同一块硅片上，在它们的交界面就形成PN结。PN结具有单向导电性。 2、简述PN结的单向导电性。 在PN结上外加一电压，如果P型一边接正极，N型一边接负极，电流便从P型一边流向N型一边，空穴和电子都向界面运动，使空间电荷区变窄，电流可以顺利通过，即PN结外加正向电压时处于导通状态。如果N型一边接外加电压的正极，P型一边接负极，则空穴和电子都向远离界面的方向运动，使空间电荷区变宽，电流不能流过，即PN结外加反向电压时处于截止状态。这就是PN结的单向导电性。 3、简述PN结的伏安特性。 如左图所示，当PN结外加正向电压，电流i随电压u按指数规律变化；当PN结外加反向电压，首先没有电流流过，但当反向电压增大到一定程度时，反向电流将急剧增加，将PN结反向击穿。 P. 67 四、已知稳压管的稳压值，稳定电流的最小值。求图T1.4所示电路中和各为多少伏。 解： (a) (b) P. 69－70: 1.3，1.6 1.3 电路如图P1.3所示，已知(V)，二极管导通电压UD=0.7V。试画出与的波形图，并标出幅值。 图P1.3 解图P1.3 1.6 已知图Pl.6 所示电路中稳压管的稳定电压，最小稳定电流 ，最大稳定电流。 (1)分别计算为10V 、15V 、35V 三种情况下输出电压的值； (2)若时负载开路，则会出现什么现象？ 为什么？ 解： 图Pl.6 (1)只有当加在稳压管两端的电压大于其稳压值时，输出电压才为6V。 ∴时，； 时，； 时，，∴。 (2)当负载开路时，，故稳压管将因功耗过大而烧毁。 P. 70: 1.8, 1.9, 1.10。 1.8 现测得放大电路中两只管子两个电极的电流如图P1.8所示。分别求另一电极的电流，标出其方向，并在圆圈中画出管子，且分别求出它们的电流放大系数β。 (a) (b) 图Pl.8 解： 由于晶体管的集电极电流与发射极电流近似相等，而图中两只管子的两个已知电流相差悬殊，故它们中的小者为基极电流，大者为集电极电流或发射极电流。 根据图(a)所示晶体管的基极电流(10uA)流入管子，所以它是NPN型管；根据图(b)所示晶体管的基极电流(100uA)流出管子，所以它是PNP型管。 其晶体管如下图所示： (a) (b) 放大倍数分别为 1.9测得放大电路中六只晶体管的直流电位如图P1.9所示。在圆圈中画出管子，并说明它们是硅管还是锗管。 图P1.9 解： 因为六只晶体管均在放大电路中，通常工作在放大状态，所以直流电位相近的两个极分别为发射极和基极，另一极为集电极；若集电极电位最高，则为NPN型管，电位最低的为发射极，电位居中的是基极；若集电极电位最低，则为PNP型管，电位最高的为发射极，电位居中的为基极。如果b-e间电压在0.1~0.3V之间，则为锗(Ge)管；如果b-e间电压在0.6~0.8V之间，则为硅(Si)管。 如解图1.9。 解图1.9 1.10电路如图P1.10所示，晶体管导通时，β=50。试分析为0V、1V、3V三种情况下T 的工作状态及输出电压的值。 解： (1)当时，，T 截止，。 (2)当时，因为 图P1.10 所以T处于放大状态。 (3)当时，因为 所以T处于饱和状态。 第二章 画出晶体管单管放大电路的三种基本接法电路、直流输入回路、交流输入回路，写出其动态特性参数：Au、Ri、Ro。 解： (1) 基本共射放大电路： (a)基本共射放大电路 (b)直流输入回路 (c)交流输入回路 基本共射放大电路的动态特性参数： (2) 基本共集放大电路： (a)基本共集放大电路 (b)直流输入回路 (c)交流输入回路 基本共集放大电路的动态特性参数： (3) 基本共基放大电路： (