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概述 半导体衬底 热氧化 扩散 离子注入 光刻 刻蚀 化学气相淀积 物理淀积 外延 工艺集成 CMOS 双极工艺 BiCMOS 光刻 将掩模版上的图形转移到硅片上 Lithographc System 光刻系统的设备需要 甩胶机 烘箱或热板 对准与暴光机 对准机Aligner-3个性能标准 分辨率: 3σ10%线宽 对准: 产量 光刻分辨率 对准机和光刻胶的分辨率是爆光波长的函数 波长越短, 分辨率越高 短波长能量高，爆光时间可以更短、散射更小 光源系统 光源 Hg Arc lamps 436(G-line), 405(H-line), 365(I-line) nm Excimer lasers: KrF (248nm) and ArF (193nm) 接触式光刻 Resolution R 0.5μm 掩膜板容易损坏或沾污 接近式光刻 最小特征尺寸： K~1, ?~波长，g~间距 最小特征尺寸~3um 投影式光刻 增加数值孔径NA，最小特征尺寸减小，但聚焦深度也减小，必须折中考虑。 光刻胶 负胶Negative Resist---爆光区域保留 正胶Positive Resist---爆光区域去除 光刻胶的成份 Resin 或 base materials Photoactive compound (PAC) Solvent 灵敏度---发生化学变化所