LED封装过程非接触在线检测信号采集探头.docVIP

FILENAME 修改的论文格式.doc PAGE - PAGE 6 - LED封装过程非接触在线检测的信号采集探头 设计与优化* *基金项目：国家自然科学基金资助项目（No.，重庆市科技攻关重大项目（CSTC. 2009AC4186），重庆市自然科学基金（CSTC. 2008BB3156） 邓文杰, 李平*, 文玉梅, 王科, 张敏 （重庆大学光电工程学院 光电技术及系统教育部重点实验室，重庆 400044） 摘 要：由于光生伏特效应，邦定在LED支架上的芯片在光照射下，可以在支架回路中产生光电流，检测光电流就能够实现对LED芯片及邦定质量的检测。支架中的光电流极其微弱，提高光电流的采集信噪比是实现检测的关键。根据在线应用条件设计了光电流采集探头，并按照输出信噪比进行了优化。探头无运动部件，抗干扰能力强，存在交、直流电磁场干扰源时，输出信噪比仍然在28db以上。 关键词：LED芯片；非接触在线检测；光生伏特效应；光电流采集 中图分类号：TN312+.8 文献标识码： A 1 引言 LED的生产包括芯片制作和芯片封装两个过程。目前针对LED的检测集中在封装前晶片级的检测及封装完成后的成品检测。晶片级检测方法包括四点探针法[1]、OBIC法[2]和激光SQUID法[3]等。成品的检测是通过对封装完成后的LED施加正向电流，导通LED进行光电参数的检测[4]。由于LED芯片封装工艺本身的原因，芯片在封装过程中可能会存在缺陷(如芯片表面不洁净等造成电极与支架引线的虚焊)。为了避免次品进入后续工艺流程，提高成品率，LED封装过程中的检测显得非常重要。文献5提出了一种基于光生伏特效应的LED封装缺陷检测方法，利用光子能量大于半导体禁带宽度能量的光照射LED芯片，在芯片、压焊丝及LED支架所形成的回路中产生光生电流，采用互感原理的方法来检测光生电流，最终实现对封装过程中的LED缺陷检测。文献6介绍了一种基于上述检测方法的LED芯片非接触在线检测系统。其检测探头采用条形磁芯插入支架回路来感应光生电流。这种探头抗电磁干扰能力差，并且检测过程中需将磁芯插入LED支架，探头运动和定位需要一定的时间，限制了系统的检测速度。 图1 引脚式封装LED的实物图 Fig1 The picture of LEDs 实际的LED封装过程中引线键合速度快，空间电磁干扰强。根据引脚式封装LED(如图1所示)的特点，对检测探头进行了设计，新的探头采用准闭合磁芯，待检测的LED支架运动至磁芯气隙中即可检测。详细分析了探头中感应线圈的配置对信噪比的影响，通过在磁芯平行臂上配置同向对称线圈，不仅增强了检测信号的强度而且有效抑制了其他电磁源产生的干扰。实验结果表明优化设计的探头提高了系统的检测速度及抗干扰能力，能实现对LED芯片功能及芯片与支架间电气连接状态的快速准确检测。 2 检测原理 根据普朗克定理，当大于半导体禁带宽度能量的光垂直照射p-n结表面时，由于p-n结内电场的作用，将会形成n区向p区的光生电流,这就是p-n结的光生伏特效应。光生电流可表示为[7]： (1) 其中，为p-n结面积，是量子产额，表示以光子数计算的平均光强，为p-n结材料的吸收系数(即每吸收一个光子产生的电子－空穴对数),是电子电量，是势垒区宽度，、分别为电子和空穴的扩散长度。因此，在光照强度一定的时候，光生电流值可以反映p-n结的多种性能参数。当p-n结外电路短路时，短路电流约等于光生电流。 图2 单个LED引线支架 Fig2 Lead frame for a single LED chip 光生伏特效应是p-n结的基本特性之一，LED的核心结构是p-n结，因此同样具有光生伏特效应。如图2所示，光子能量大于半导体禁带宽度能量的光照射LED芯片，在LED芯片、压焊丝及LED支架所形成的回路中会产生光生电流，回路1集中了91.3%-95.7%的光生电流[8]。选择合适的光源激励出足够强度的光生电流，通过对回路1中的电流进行检测，就能够达到检测封装过程中LED封装缺陷的目的。 3 光生电流的检测 由(1)式可以看出，光生电流的大小与LED芯片尺寸及材料掺杂浓度等有关，实测未封装的红光LED芯片样品的光生电流值约100μA。由图1可知，待测回路为闭合回路，只能采用非侵入式的电流检测方法。当交变光激励LED芯片时，在闭合回路中会产生交变的光生电流，此载流回路就会在空间产生交变磁场。根据法拉第电磁感应定律，处于交变磁场中的线圈能够产生感应电动势，通过对感应电动势的检测就可以实现对封装过程中LED封装缺陷的检测。为了获得较大的输出信号，探头由高磁导率磁芯和多匝线圈构成。在探头输出端并联电容C，