IGBT驱动电路设计wait6875编辑.docVIP

IGBT驱动电路设计(wait6875编辑) 需要解决的问题： IGBT为什么要用负压关断而MOS却不需要,米勒效应对IGBT驱动的影响 IGBT栅极电阻的取值计算 栅源电容Cg的作用 输入电容Ciss=Cge+Cgc 输出电容Coss=Cge+Cce 反向电容（米勒电容）Crss=Cgc 电源供电+16V、-7V： 开通电压：为使通态压降最小，同时IGBT又具有较好的承受短路电流能力 选择15V±10%的正栅极电压，可完全饱和，且开关损耗最小，12V时通态压降损耗加大，20V时难以实现过流以及短路保护。（解释：参照PDF可知12V时不完全饱和导通，Rds压降大损耗就大；由Vce和Vgs曲线可知20V时Vce变化小，且允许的短路时间短。） 例：FF75R12KT4的模块,额定电流75A，2倍额定电流150A，允许的短路时间T=1ms Vgs=15V,Ic=75A,Vce=2.2V;Ic=150A,Vce=3.8V,T=1ms; Vgs=19V,Ic=75A,Vce=2.1V;Ic=100A,Vce=2.8V,T=?; 这只是资料显示数据，实际中Vce会有偏差,还有温度对Vce的影响,温度越高，Vce越小。 关断电压：由于Cgc电容的存在，当IGBT关断时，电流会通过Rg_int，外部栅极电阻和驱动器，形成回路，并在栅极产生电压Uge=Igc*(Rg_int+R1//R2+Ro),如果Ugc大于IGBT阈值电压，IGBT就会被开通，Uge越大，IGBT就会越接近饱和，这就是IGBT寄生开通（米勒效应）。这种状态维持时间并不长，大概在几十nS到100nS之间，但是也会导致很高的IGBT损耗，甚至会损坏IGBT，那么有效的方法就是加负压使Ugc(Cgc的电荷)快速泄放。有些电路没有负压，用自举电路的原理也是一样，但并不是所有都要负压关断，小功率中用0V关断（成本考虑） IGBT栅极负偏电压-VGE直接影响IGBT的可靠运行，负偏电压增高时集电极的浪涌电流明显下降，一般选择-5V到-15V之间，目的是出现噪声仍可关断，并可减小关断损耗的最佳取值为-8V到-10，另外负压越高，需要的栅极充电电流就会越大，对驱动器的要求就会越高。 IGBT开关频率：不大于30K Ro为前级PWM输出内阻：可以忽略，但也要根据实际选择的驱动器来确定 Cg为外部栅源电容：用作电路调试，增大duce/dt的同时，有效的减小di/dt，加快IGBT开通速度，降低开通损耗。 R3为栅源电阻（泄放电阻）：第一提供直流偏置，第二为泄放电阻，IGBT静态时，为栅源极放电，保证安全，取值2K-20K，一般取10K。（这里结合阻抗的概念理解一下） D1为双向TVS Rg_int为IGBT内部电阻 IGBT驱动电路图 AB之间的距离越短越好，不要超过20cm,CD直接连。 开通Ron=Ro+R2+Rg_int 关断Roff=Ro+R1//R2+Rg_int+D 英飞凌FF450R120ME4模块PDF资料 栅极电荷Qg=3.3uC IGBT内阻Rg_int=1.7Ω（正负15V）,外部开通电阻Rgon=1.3Ω（正负15V） 输入电容Ciss=28nF,米勒电容Cgc=1.55nF,Cgs=28nF-1.55nF=26.45nF 开关频率10K，周期100us,死区时间2us,Ton=48us（忽略延迟）-这里有待商榷 计算部分： 驱动功率P=F*△U1*Qg=10*10^3*(16+7)*33*10^(-6)=0.792W 注意：如果是晶体管输出△U1=(VCC+VEE)的绝对值-2*管压降 电阻的驱动功率Pr=2P=1.58W，一般选取直插系列3W电阻或者1W的3个2512的贴片并联（考虑长时间工作电阻发热，功率尽可能去取大一点） 门极峰值电流Iapp=△U/（Rg_int+Rgon）=*(15+15)V/(1.7+1.3)Ω=10A 峰值电流Ipeak=0.7Iapp=7A（0.7为峰值电流校正因数） ——IGBT模块技术驱动和应用第二版 注意这里要求驱动器的输出峰值电流要足够大，一定要保证IGBT的栅极有足够的电荷，使IGBT完全饱和。（用脉冲变压器驱动使尤其要考虑这一点） 即△U1=16+7=23V，可以计算栅极电阻最小值：R1≥23V/10A=2.3Ω 栅极电阻最大值R1≤48*10^(-6)/(26.45*10^(-9)*40)=45Ω 注意栅极震荡对驱动的影响 门极电阻应该尽量靠近IGBT模块门极，过长的距离会在门极-发射极回路造成较大的电感，结合IGBT门极的输入电容特性，会组成一个LC电路。这个LC电路在某个参数点会出现振荡，可能会出现超过允许值的门极电压。这种振荡可以通过选用一个远大于最小谐振值的门极电阻来抑制，可以通过公式计算：