3.7吉赫兹单片电感电容压控振荡器设计.pdfVIP

制滤波器的要求就越低；中频频率越低，中频频率与信道带宽的比值就越小，信 道选择滤波器就越容易实现。对于像GSM系统这样具有较多的信道数(174个) 和较窄的信道问隔(200KHz)，一般采用两次混频，第一中频频率较高，有利于镜 像抑制；第二中频频率较低，有利于信道选择。镜频抑制滤波器和信道选择滤波 器必须采用高性能的晶体／陶瓷滤波器，才能满足系统要求。 功放摸块抛额器 晶振0SP 闪存 Ericsson 图1．2 788印刷电路扳照片 对于手持设备来说，小型化、低功耗和低成本一直是人们追求的目标。一款 小巧时尚、电池续航力强，而价格又便宜的手机更受市场的青睐。图1．2是一个 采用超外差式结构的GSM手机的印刷电路板照片。它的射频收发器几乎占了一 半的面积，这其中滤波器和压控振荡器又占了不小的面积。这些分立模块本身比 ● 较昂贵，功耗又大，如果能把射频收发器集成在一块硅片上，就能实现小型化、 低功耗和低成本的目标。 RF工艺的出现实现了相对较高品质的无源电感，使得LCvCO可以集成到芯 片上而不会使GSM接收系统性能遭受损失，但是晶体和陶瓷滤波器是无法集成 到芯片上的，必须改变系统结构来去除。直接变频(零中频)结构是一种适合全集 成的接收机结构，在该结构中，射频信号直接变换到基带，因为没有中频，所以 没有镜频干扰问题，不需要镜频抑制滤波器；在基带上进行信道选择用简单的低 通就行了，不需要高性能的带通滤波器。但是直接变频结构有个缺点：实际的接 收电路是具有很大的低频噪声的，例如有限的端口隔离度造成的自混频会产生频 率很低的直流偏移、在低频时器件的l／f噪声影响会显著增大。从天线而来的射 频信号是十分微弱的，把如此小的信号直接变换到基带，会被比自身大数百上千 倍的低频噪声淹没，而在超外差式结构中，由于存在中频而避免了这个问题。人 们进行了大量的研究来解决直接变频的低频噪声问题，提出了许多的改进办法， 其中之一是低中频结构。图1．3是低中频接收机框图。在低中频结构中，中频频 2 率仅为l～2个信道间隔，信道选择采用集成带通滤波器(BPF)就可以满足系统的 要求。低中频结构也存在镜像频率干扰问题，可以采用Hartley①结构来抑制”1121。 r一一一一一一一一一一一一一一一一l 蕊 MIXER’VG^ B ● 图1．3低中频接收机框图 目前深亚微米的CMOS工艺可以用于射频电路制造，虽然相对于GaAs、SiGe CMOS工艺有着器件尺寸按比例缩小的优点，今后MOS管尺寸还会继续减小， 速度还会继续上升。虽然建造一座深亚微米的CMOS代工厂需要数十亿美元， 但是由于CMOS工艺巨大的产能，使CMOS芯片的平摊制造成本相当低廉，而 且CMOS模拟电路和CMOS数字电路能够方便地制作在一块芯片上，这可以大 ● 大提高系统的集成度、可靠性并降低其制造成本。中芯国际(SMIC)和台积电 (TSMC)都提供CMOS代工业务，每个月固定地向设计公司(DesignHouSe)提供一 到两次的多项目晶圆(MPW)流片服务。