键合技术介绍.pptVIP

* * 热压球焊点的外观 1.2.2 超声键合法（USB） 原理： 对Al丝施加超声波，对材料塑性变形产生的影响，类似于加热。超声波能量被Al中的位错选择性吸收，从而位错在其束缚位置解脱出来，致使Al丝在很低的外力下即可处于塑性变形状态。 这种状态下变形的Al丝，可以使基板上蒸镀的Al膜表面上形成的氧化膜破坏，露出清洁的金属表面，偏于键合。 特点： 适合细丝、粗丝以及金属扁带 不需外部加热，对器件无热影响 可以实现在玻璃、陶瓷上的连接 适用于微小区域的连接 THANK YOU SUCCESS * * 可编辑 3. 定位（第2次键合） 1. 定位（第一次键合） 超声压头 Al 丝 基板电极 芯片电极 2. 键合 加压 超声波振动 4. 键合－切断 拉引 超声键合法工艺过程 超声键合实物图 1.2.3 热超声键合法（TSB） 基理： 利用超声机械振动带动丝与衬底上蒸镀的膜进行摩擦，使氧化膜破碎，纯净的金属表面相互接触，接头区的温升以及高频振动，使金属晶格上原子处于受激活状态，发生相互扩散，实现金属键合。 工作原理： 在超声键合机的基板支持台上引入热压键合法中采用的加热器，进行辅助加热；键合工具采用送丝压头，并进行超声振动；由送丝压头将Au丝的球形端头超声热压键合在基板的布线电极上。 1.2.4 三种引线连接方法对比 特性 热压键合法 超声键合法 热超声键合法 可用的丝质及直径 Au丝 φ15～φ100um Au丝，Al丝 Φ10～φ500um Au丝 Φ15～φ100um 键合丝的切断方法 高电压（电弧） 拉断 拉断(超声压头) 拉断(送丝压头) 高电压(电弧) 高电压（电弧） 拉断 优点 键合牢固，强度高；在略粗糙的表面上也能键合；键合工艺简单 无需加热；对表面洁净度不十分敏感； 与热压键合法相比，可以在较低温度、较低压力下实现键合 缺点 对表面清洁度很敏感；应注意温度对元件的影响 对表面粗糙度敏感；工艺控制复杂 需要加热；与热压法相比工艺控制要复杂些 其他 适用于单片式LSI 最适合采用Al丝 适用于多芯片LSI的内部布线连接 1.3 梁式引线法 定义： 采用复式沉积方式在半导体硅片上制备出由多层金属组成的梁，以这种梁来代替常规内引线与外电路实现连接 。 特点： 主要在军事、宇航等要求长寿命和高可靠性的系统中得到应用。其优点在于提高内引线焊接效率和实现高可靠性连接，缺点是梁的制造工艺复杂，散热性能较差，且出现焊点不良时不能修补。 芯片 梁式引线 基板 电极 热压接 梁式引线法示意图 2.0 倒装芯片（FCB）互连 特点： 封装速度高，可以同时进行成百上千个以上焊点的互连； 焊球直接完成芯片和封装间的电连接，实现了芯片和封装间最短的电连接通路，具有卓越的电气性能； 芯片电极焊接点除边缘分布外，还可以设计成阵列分布，因此，封装密度几乎可以达到90%以上。 定义： 在芯片的电极处预制焊料凸点，同时将焊料膏印刷到基板一侧的引线电极上，然后将芯片倒置，使芯片上的焊料凸点与之对位，经加热后使双方的焊料熔为一体，从而实现连接。 凸点 芯片 电极 PCB 倒装芯片法示意图 钎焊 在芯片上形成金属化层，在金属化层上制作钎料合金凸点； 芯片面向下与基板上的金属化层对准； 加热使钎料合金熔化，形成连接； 在芯片与基板之间填充树脂 2.1 封装结构 2.2.1 FCB－C4法(Controlled Collapse Chip Connection) 可控塌陷芯片互连原理： 焊料凸点完全融化，润湿基板金属层，并与之反应。 2.2.1 FCB－表层回流互连法 原理： 在PCB金属焊盘上涂敷低温Pb/Sb焊膏，倒装上凸点芯片后，只是低温焊膏再回流，高温Pb/Sb凸点却不熔化。 自对准效应 当芯片焊盘与衬底焊盘之间偏移不超过焊球平均半径的三倍，并且在回流过程中能达到熔融焊球与衬底焊盘部分浸润，在熔融焊料表面张力的作用下，可以矫正对位过程中发生的偏移，将芯片拉回正常位置，回流过程结束后形成对准良好的焊点。 2.2.2 FCB－机械接触法 机械接触法原理： 在基板金属焊盘上涂覆可光固化的环氧树脂，将凸点芯片 倒装加压进行UV光固化，所形成的收缩应力使凸点金属与基板金 属焊盘达到可靠的机械接触互连（并非焊接）——适用于高I/O数 的微小凸点FCB。 Au 导体 基板 IC 光固化 环氧树脂 加压 3.0 压接倒装互联技术 压接倒装互联技术 利用表面电镀Au的树脂微球进行连接的方式 各向异性导电膜（浆料）连接方式 Au凸点连