微机原理与接口技术第6章 存 储 器.pptVIP

图6-10 线选控制图 图6-11 存储器的地址分布 图6-12 4K RAM结构图 图6-13 具有RAM和ROM的系列方框图 6.2.4 64K位动态RAM存储器 1．Intel 2164A的结构 图6-14 Intel 2164A的引脚图 图6-15 Intel 2164A内部结构图 2．读周期 图6-16 Intel 2164A读周期的波形 3．写周期 图6-17 2164A写周期的波形 4．读—修改—写周期 图6-18 2164A的读—修改—写周期 5．刷新周期 图6-19 唯 有效刷新方式 6．数据输出操作 周 期 类 型 输 出 状 态 读周期 数据从所寻址的单元读出 写周期 高阻 唯 有效刷新周期 高阻 唯 有效周期 高阻 读—修改—写周期 数据从所寻址的单元读出 延迟的写周期 不定 表6-1 Intel 2164A的输出状态 6.3 现代RAM 6.3.1 内存条的构成 （1）内存芯片 （2）桥路电阻 （3）电容 （4）EEPROM 6.3.2 扩展数据输出动态随机访问存储器EDO DRAM EDO DRAM与传统的快速页面模式的动态随机访问存储器FPM DRAM（如Intel 2164）并没有本质上的区别，其内部结构和各种功能操作也与FPM DRAM基本相同。