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仿真结果分析 温度特性较差，正温度系数过小，这是由于R2/R1的比值过小所致 可通过调节R2/R1的比值来优化温度特性 内容 带隙电压基准的基本原理 常用带隙电压基准结构 PTAT带隙电压基准 运放输出电压基准 基准电路的发展方向 PTAT带隙电压基准的设计 优化温度特性 实训 优化温度特性 采用变量分析“Parametric”方法 方案：固定R1值的大小，扫描R2 方法：在电路图中设置R2的阻值为变量“res” ADE窗口中，选择“Variables”→“Edit” CMOS模拟集成电路实训之电压基准的设计 东南大学微电子学院 IC实验室 内容 带隙电压基准的基本原理 常用带隙电压基准结构 PTAT带隙电压基准 运放输出电压基准 基准电路的发展方向 PTAT带隙电压基准的设计 优化温度特性 实训 带隙电压基准的基本原理 带隙电压基准的基本原理： 基准电压表达式 ： V+,V-的产生原理 利用了双极型晶体管的两个特性： ·基极-发射极电压（VBE）与绝对温度成反比 ·在不同的集电极电流下，两个双极型晶体管的基极-发射极电压的差值（ΔVBE）与绝对温度成正比 双极型晶体管构成了带隙电压基准的核心 负温度系数电压 ·双极型晶体管，其集电极电流（IC）与基极-发射极电压（VBE）关系为 其中， 。利用此公式推导得出VBE电压的温度系数为 其中， ， 是硅的带隙能量。当 ， 时， 。 · VBE的温度系数本身就与温度有关 正温度系数电压 ·如果两个同样的晶体管（IS1= IS2= IS，IS为双极型晶体管饱和电流）偏置的集电极电流分别为nI0和I0，并忽略它们的基极电流，那么它们基极-发射极电压差值为 因此，VBE的差值就表现出正温度系数 ·这个温度系数与温度本身以及集电极电流无关。 实现零温度系数的基准电压 利用上面的正，负温度系数的电压，可以设计一个零温度系数的基准电压，有以下关系： 因为 ， ，因此令 ，只要满足上式 ，便可得到零温度系数的VREF。 即为 内容 带隙电压基准的基本原理 常用带隙电压基准结构 PTAT带隙电压基准 运放输出电压基准 基准电路的发展方向 PTAT带隙电压基准的设计 优化温度特性 实训 常用带隙电压基准结构 两种常用结构 先产生一个和绝对温度成正比（PTAT）的电流，再通过电阻将该电流转变为电压，并与双极型晶体管的VBE相加，最终获得和温度无关的基准电压 通过运算放大器完成VBE和ΔVBE的加权相加，在运算放大器的输出端产生和温度无关的基准电压 内容 带隙电压基准的基本原理 常用带隙电压基准结构 PTAT带隙电压基准 运放输出电压基准 基准电路的发展方向 PTAT带隙电压基准的设计 优化温度特性 实训 利用PTAT电流产生基准电压 M5，M6，M8构成电流镜 又ΔVBE=VTlnn I1=I2=(VT·lnn)/R1 I3=M·(VT·lnn)/R1 带隙电压基准电路 输出基准电压 T=300K时的零温度系数条件 电路实现 内容 带隙电压基准的基本原理 常用带隙电压基准结构 PTAT带隙电压基准 运放输出电压基准 基准电路的发展方向 PTAT带隙电压基准的设计 优化温度特性 实训 运放输出端产生基准电压 输出基准电压 零温度系数条件 电路实现 两种结构的性能比较 1.驱动能力 PTAT基准不能直接为后续电路提供电流，需要在带隙电压基准和后续电路中加入缓冲器才能提供电流。 2.面积 运放输出基准需要使用3个电阻，并且在Q1和Q2的比值n较小的时候，需要使用更大阻值的R1和R2。因此消耗更多的芯片面积。 内容 带隙电压基准的基本原理 常用带隙电压基准结构 PTAT带隙电压基准 运放输出电压基准 基准电路的发展方向 PTAT带