常用电子元器件.PPT

　　可见，三极管在外加电压的作用下，发射区向基区注入的载流子大部分到达集电区而形成集电极电流IC，只有少部分载流子在基区复合形成基极电流IB，显然ICIB，且发射极电流为ＩＥ=ＩB＋IC 。  　　当发射结正向偏置电压改变时，从发射区扩散到基区的载流子数将随之改变，从而使集电极电流IC产生相应的变化。由于ＩB很小的变化就能引起 IC较大的变化，因此就形成了三极管的电流放大作用。通常用集电极电流IC与基极电流ＩB之比值来反映三极管的放大能力，用β表示（β≈ＩC/ＩB），称为三极管共发射极电路的直流电流放大系数。当三极管制成后，β也就确定了，其值远大于1。 　　若考虑集电区及基区少数载流子漂移运动形成的集电结反向饱和电流ICBO(如图1.34所示)，则IC与IB之间有关系 上式也可写成 式中，ICEO为穿透电流，其计算公式为ICEO(1+ )ICEO，单位为mA。 　　3. 三极管的特性曲线及主要参数 　　1) 三极管的特性曲线 　　三极管的特性曲线是指各极电压与电流之间的关系曲线， 它是三极管内部载流子运动的外部表现。从使用角度来看，外部特性显得更为重要。 　　由于三极管有三个电极，它的伏安特性曲线比二极管更复杂一些，工程上常用到的是它的输入特性和输出特性。 　　(1） 输入特性曲线。当UCE不变时，输入回路中的电流IB与电压UBE之间的关系曲线被称为输入特性，即 (1-2) 输入特性曲线如图1.35所示。  　　当UCE=0时，三极管的输入回路相当于两个PN结并联，如图1.36所示。三极管的输入特性是两个正向二极管的伏安特性。 图1.35 输入特性 图1.36 UCE=0时，三极管测试电路和等效电路 （a） 测试电路; （b） 等效电路 当UCE=0时，三极管的输入回路相当于两个PN结并联，如图1.36所示。三极管的输入特性是两个正向二极管的伏安特性。 当UCE≥UBE时，b、e两极之间加上正向电压。集电结反偏，发射区注入基区的电子绝大部分漂移到集电极，只有一小部分与基区的空穴复合形成基极电流IB。与UCE=0时相比，在相同UBE条件下，IB要小得多，输入特性曲线向右移动；若UCE继续增大，曲线继续右移。 当UCE1V时，在一定的UBE条件之下，集电结的反向偏压足以将注入到基区的电子全部拉到集电极，此时UCE再继续增大，IB也变化不大，因此UCE1V以后，不同UCE值的各条输入特性曲线几乎重叠在一起。所以常用UCE1V的某条输入特性曲线来代表UCE更高的情况。在实际应用中，三极管的UCE一般大于1V，因而UCE1V时的曲线更具有实际意义。 　　由三极管的输入特性曲线可看出：三极管的输入特性曲线是非线性的，输入电压小于某一开启值时，三极管不导通，基极电流为零，这个开启电压又叫阈值电压。对于硅管，其阈值电压约为0.5V，锗管约为0.1~0.2V。当管子正常工作时，发射结压降变化不大，对于硅管约为0.6~0.7V，对于锗管约为0.2~0.3V。 　　（2） 反向特性。0D段称为反向截止区。当反向电压增加时，反向电流增加很小，几乎保持不变。此电流称为反向饱和电流，记作IS 。IS愈大，表明二极管单向导电性能愈差。小功率硅管的IS小于1 μA，锗管的IS为几 μA～几千μA。 这也是硅管和锗管的一个显著区别。这时二极管呈现很高的电阻，在电路中相当于一个断开的开关，电路呈现截止状态。ＤＥ段称为反向击穿区。 当反向电压增加到一定值时， 反向电流急剧增大， 这种现象称为反向击穿。发生反向击穿时所加的电压称为反向击穿电压，记作UBR。反向击穿电压愈大，表明二极管的耐压性能愈好。反向击穿后的电流不加以限制，ＰＮ结同样也会因过热而被烧坏，这种情况称为热击穿。 　 　　2） 温度特性 　　由于半导体的热敏性，使二极管对温度很敏感，温度对二极管伏安特性的影响如图1.24所示。 1.24 温度对二极管伏安特性的影响 　　由图可见，温度对二极管伏安特性有下列影响： 　　（1） 当温度升高时，二极管的正向特性曲线向左移动， 正向导通电压减小。  　　（2） 当温度升高时，二极管的反向特性曲线向下移动， 反向饱和电流增大。  　　（3） 当温度升高时，反向击穿电压减小。 1.4.4　半导体二极管的主要参数与测试 　　1. 二极管的主要参数 　　1) 最大整流电流IF 　　最大整流电流是指管子长期正常工作时，允许通过的最大正向平均电流。因为电流通过ＰＮ结时会引起管子发热。电流超过允许值时，发热量超过限度，ＰＮ结就会被烧坏。例如２ＡＰ3管的最大整流电流为25 mA。 　　2) 最高反向工作电压UR