GB/T 5238-1995锗单晶.pdf

ICS29.040.30 H 81 暑8}}1 中 华 人 民 共 和 国 国 家 标 准 GB/T 5238一 1995 曰 锗 单 日日 Monocrystallinegermanium 1995一10一17发布 1996一03一01实施 国 家 技 术 监 督 局 发 布 中华人民共和国国家标准 GB/T 5238一1995 锗 单 晶 代替GB 5238-85 Monocrystalline germanium 主肠内容与适用范围 本标准规定了锗单晶的产品分类、技术要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输和贮存. 本标准适用于制作半导体器件等用的锗单晶。 引用标准 GB 5251锗单晶电阻率直流四探针测量方法 GB 5252锗单晶位错腐蚀坑密度测量方法 GB 5254 锗单晶晶向X光衍射测定方法 GB 5255锗单晶晶向光反射图像测定方法 GB 5256锗单晶导电类型测量方法 GB 5257锗单晶少数载流子寿命直流光电导衰退测量方法 产品分类 3.1 分类 锗单晶按导电类型分为n型和P型。根据电阻率允许偏差大小单晶分为三级，用英文大写字母A, B,C表示。 3.2 牌号 3.2.1锗单晶的牌号表示为: FT Ge一门( )一 其中: 1— 表示锗单晶的生产方法。Cz表示直拉法，HB表示水平法。 2- Ge表示锗单晶。 3— 用n或p表示导电类型，括号内的元素符号表示掺杂剂。 4— 用密勒指数表示晶向。 2 示例: a.Cz-Ge-n(Sb)-(111)表示晶向为(111)n型掺锑直拉锗单晶。 国家技术监.局1995一10-17批准 1996一03一01实施 标准分享网 免费下载 Gs/T5238一 1995 b.Cz-Ge-p(Ga)-(111)表示晶向为(111)p型掺稼直拉锗单晶。 规格 锗单晶的规格应符合表 1规定。 表 1 导 电类 型 掺杂剂 直径 ，mm 直径允许偏差，% 不大于 { 长度.mm G a 一 n I 1100^^--5500 40^ 100 Au+Ga(In) )20 10- 50 注:直径允许偏差指同一单晶段的最大直径和最小直径之差与其平均直径的比值的百分数. 技术要求 4.1 物理参数 4.1.1 锗单晶的电阻率参数