工程电磁场教案-国家课华北电力学院崔翔-第2章(第二部分).docVIP

《电磁场》讲稿（2）-B 崔 翔 第 PAGE 4 页 DATE \@ yyyy-M-d 2012-3-4 2．4 电介质中的电场 1．电位移矢量 由高斯定理，得 整理得 ▽?(?0E + P)= ? 定义电位移矢量： D =?0E + P = ?0(1+?e)E = ? E 其中， ? = ?0(1+?e)= ?r?0， ?r =? /?0 =(1+?e) 2．介电常数 上式分别给出了介质的介电常数和相对介电常数。从而电介质中电场问题可简洁地归结为场量D、E或位函数? 的定解问题。 例1：同轴电缆其长度L远大于截面半径，已知内、外导体半径分别为a和b。其间充满介电常数为?的介质，将该电缆的内外导体与直流电压源U0相联接。试求：(1)介质中的电场强度E；(2)介质中Emax位于哪里？其值多大？ 图 同轴电缆的电场[解]：（1）设内、外导体沿轴线方向线电荷密度分别为+? 和-?。由应用高斯定理，得 图 同轴电缆的电场 即 所以 (a ? b) 由因为 图 E切向分量的边界条件 图 E切向分量的边界条件 图 D法向分量的边界条件 得 (a ? b) (2)最大场强位于内导体表面(? = a)，其值为 3．边界条件 介质分界面上的边界条件： 跨越分界面的一狭小的矩形回路l如图所示，且令 ?l2→0而 ?l1足够地短。求电场强度在l上的环量，有 即 E1t = E2t 或 en?(E2-E1) = 0 上式表明，在介质分界面上电场强度的切向分量是连续的。 跨越分界面的一个扁平圆柱体S如图所示，令两个底面?S足够小且平行于分界面，圆柱面高度 ?l→0。求电位移矢量在圆柱面的通量，有 式中分界面上法线方向单位矢量en规定为由介质1指向介质2，? 是分界面上可能存在的自由电荷面密度。从而得 D2n-D1n= ? 或 en ?(D2 - D1 ) = ? 一般两种介质分界面上不存在自由电荷(? = 0)，此时有 D1n = D2n 或 en?(D2 - D1 ) = 0 上式表明，在介质分界面上电位移矢量的法向分量是连续的。 对于两种线性且各向同性介质，应用上述边界条件，得 E1sin?1 = E2sin?2 ， ?1E1cos?1 = ?2E2cos?2 两式相除，得 上式综合表述了场量在介质分界面上遵循的物理规律，称为静电场的折射定律。 导体表面上的边界条件： 设导体为媒质1、导体外介质为媒质2，并考虑到导体内部电场强度和电位移矢量均为零且其电荷只能分布在导体表面，得 E1t= E2t =0 ， D2n-D1n= D2n = ? 式中，? 是导体表面的电荷面密度。上式说明在导体表面相邻处的电场强度E和电位移D都垂直于导体表面，且电位移的量值等于该点的电荷面密度(需注意en是导体表面的外法线单位矢量）。一般写为 Et = 0 或 en?E = 0 ； Dn = ? 或 en ?D = ? 4．边界条件的电位表达 介质分界面： 由于介质分界面上E1t = E2t，显然可以得出 ?1=?2 即电位连续在介质分界面上是连续的。又由于D2n-D1n=? 和 最后可以得出，边界条件的电位表示为 ?1=?2 ， 导体表面上的边界条件： 图 平板电容器? = C 图 平板电容器 式中，C是由所论静电场导体系统决定的常数。 例2：图示平行板电容器，其极板间介质由两种绝缘材料组成，介质的分界面与极板平行。设电容器外施电压为U0，试求：(1)两绝缘材料中的电场强度；(2)极板上的电荷面密度。 [解]：(1)在电压U0下，并应用分界面的边界条件，得 ， (2)极板A上的电荷面密度为 极板B上的电荷面密度为 ?? = -D2n = -?2E2 = -? 讨论：本例中，设?r2??r1，则E1?E2。在实际中，如果因制造工艺上的不完善性，使极板与绝缘材料间留有一空气层，设绝缘材料的相对介电常数为?r2，则空气层中电场强度E1将为绝缘材料中电场强度E2的 ?r2倍，这很容易由于空气层被击穿而导致电容器的损坏。第三次课结束 第三次课结束 作业：2-11，12，13 2．5 边值问题 1．泛定方程 由? ? D = ?、D =?E 和E = -??，得 ? ? D = ? ? ?E = -? ???? =? =〉 ? ???? = -? 对于均匀介质? 为常数，得 ?2? = -?/? 上式称为电位? 的泊松方程，式中，称为