1、参数设置对磁记忆技术判断缺陷灵敏度的影响.docx

参数设置对磁记忆技术判断缺陷灵敏度的影响 郭鹏举，赵海江，关卫和 (合肥通用机械研究院特种设备检验站 230031) 摘要 研究了提离值b和记录数据间隔s对磁记忆技术判断缺陷灵敏度的影响。结果表明：垂直于缺陷主平面检测时， b为0~10mm时，磁场强度Hp(y)随b值增大下降较为明显，磁场梯度K值成线性下降；b10mm时，Hp(y)和K随b增大均下降较小。对于磁信号异常较为明显的部位，本试验中可最大在距其55mm远的距离检测到信号异常。为得到较高的灵敏度，提高检测准确度，在不损伤探头的前提下，应尽量减小b值。s大小对磁记忆信号影响较小，但也不可太大。 关键词 磁记忆检测信号；提离值；记录数据间隔 1 引言 自1998年俄罗斯学者Dubov ADDIN NE.Ref.{7E0D472A-8ACC-417B-81B1-8CD42040B1ED}[1]将磁记忆技术介绍入中国以后，该技术受到了各个领域研究人员的广泛关注 ADDIN NE.Ref.{B71A4F27-80A9-462C-9F93-D28B6FF4370D}[2]。该技术检测时不需要施加外磁场，检测信号相对较弱，因此，对其检测过程中的影响因素要有充分了解。提离较大时，所获得磁信号降低，会降低检测灵敏度。同时，磁记忆技术检测时不需要打磨构件表面，可以在未拆除保温层前进行检测，在保温层厚度的提离值下，若缺陷部位的磁信号仍可被检