第四章材料的制备;材料制备的目的;材料合成;材料制备;主要内容;1. 晶体生长技术;1.11 提拉法;提拉法;提拉法;提拉法装置;提拉法装置;提拉法装置;生长要点;生长要点;提拉法;提拉法生长晶体实例;提拉法生长晶体实例;提拉法生长晶体实例;提拉法数值模拟;1.12 坩埚下降法;坩埚下降法;坩埚下降法;坩埚下降法;坩埚下降法;坩埚下降法;1.13 区熔法;区熔法;悬浮区熔法;区熔法;1.14 焰熔法;1.14 焰熔法;1.14 焰熔法;1.14 焰熔法;1.2 溶液生长法;1.21 水溶液法;水溶液法;水溶液法;1.22 水热法;1.22 水热法;1.22 水热法;1.22 水热法;水热法合成单晶TiO2棒阵列;水热法;1.23 助熔剂法;助熔剂法;助熔剂法;助熔剂法;助熔剂法;助熔剂法;助熔剂法;助熔剂法合成的红宝石、蓝宝石和祖母绿;1.3 气相生长法;1.3 气相生长法;2. 气相沉积法;2. 气相沉积法;2.1物理气相沉积法 (PVD);2.11 真空蒸镀;2.11 真空蒸镀;2.11 真空蒸镀;2.12 溅射镀膜;2.12 溅射镀膜;2.12 溅射镀膜;2.12 溅射镀膜;2.13 离子镀;2.13 离子镀;离子镀;2.1 物理气相沉积法 (PVD);2.2 化学气相沉积法(CVD);2.2 化学气相沉积法(CVD);2.2 化学气相沉积法(CVD); 例如
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