模拟电子技术基础第1章.pptVIP

(b)扩散电容CD CD 值与PN结的正向电流I成正比 。 由势垒区两侧的P区和N区正负电荷混合储存所产生。PN结加正向电压时P区的空穴注入到N区，吸引N区带负电的电子到其附近； 同时，N区的电子注入到P区，吸引P区里带正电的空穴到其附近。它们不会立即复合，而有一定的寿命，从而形成势垒区两侧正负电荷混合储存的现象。呈现出的电容效应称为扩散电容。 tp ：空穴寿命 tn ：电子寿命 UT ：热电压 I : 正向电流 1.2.2 晶体二极管 ②电容效应 η : 系数1～2 * 小结 （1）PN结正向运用时 CT、CD同时存在，CD起主要作用 （2）PN结反向运用时，只有CT 。 1.2.2 晶体二极管 ②电容效应 * 将实际二极管的伏安特性曲线作折线化近似。 理想特性曲线 只考虑门限 的特性曲线 伏安特性 符号 5.晶体二极管特性的折线近似 1.2.2 晶体二极管 * 考虑门限电压和 正向导通电阻的 特性曲线 伏安特性 符号 rd：工作点处的动态电阻 仅考虑正、反向 导通电阻的特性 曲线 1.2.2 晶体二极管 5.晶体二极管特性的折线近似 * 例1-1：半波整流电路中VD为理想二极管，画出uO(t)波形。 输出uO(t) 取决于VD 的工作状态是通还是断。 1.整流电路 解： 1.2.3 晶体二极管电路 * ；VD截止? ui 0V ；V