模拟电路与数字电路第1章 半导体器件.ppt

图1.27所示的三极管放大电路中，集电极接有电阻RC，如果电源电压VCC一定，当集电极电流iC增大时，vCE＝VCC-iCRC将下降，对于硅管，当vCE 降低到小于0.7V时，集电结也进入正向偏置的状态，集电极吸引电子的能力将下降，此时iB再增大，iC几乎就不再增大了，三极管失去了电流放大作用，此时称三极管处于饱和状态。 （2） 饱和区 三极管输出特性曲线饱和区和截止区之间的部分就是放大区。 （3） 放大区 1.6.4三极管的主要参数 1. 共射电流放大系数 和β 1.5其他类型的二极管 1.5.1发光二极管 1.5.2光电二极管 1.5.1发光二极管 发光二极管包括可见光、不可见光、激光等不同的类型，这些二极管除了具有PN结的单向导电性外，还可以将电能转换成光能输出。 发光二极管的外形和符号如图1.22所示。 图1.22发光二极管和符号 1.5.2光电二极管 光电二极管是一种远红外线接收管，它可将所接收到的光能转换成电能。 PN结型光电二极管充分利用PN结的光敏特性，将接收到光能的变化转换成电流的变化。 光电二极管的外形和符号如图1.23所示。 图1.23光电二极管 1.6晶体三极管 1.6.1晶体管的结构及类型 1.6.2三极管的电流放大作用 1.6.3三极管的共射特性曲线 1.6.4三极管的主要参数 晶体三极管又称双极型器件（用BJT表示），它的基本组成部分是两个靠得很近的，且背对背排列的PN结。 根据排列方式不同，分为PNP型和NPN型两种类型。 1.6.1晶体管的结构及类型 半导体二极管内部只有一个PN结，若在半导体二极管P型半导体的旁边，再加上一块N型半导体，由图1.24（a）可见，这种结构的器件内部有两个PN结，且N型半导体和P型半导体交错排列形成3个区，分别称为发射区、基区和集电区。 晶体三极管通常简称三极管或晶体管，三极管在电路中常用字母VT来表示。 图1.24（a）所示三极管的3个区分别由NPN型半导体材料组成，这种结构的三极管称为NPN型三极管，图1.24（b）所示为NPN型三极管的符号，符号中箭头的指向表示发射结处在正向偏置时电流的流向。 根据同样的原理，也可以组成PNP型三极管，图1.25所示为PNP型三极管的内部结构和符号。 常见三极管的外形如图1.26所示。 图1.24NPN型三极管和符号 图1.25PNP型三极管和符号 图1.26三极管的外形图 图1.26（a）和图1.26（b）所示为小功率管，图1.26（ｃ）所示为中功率管，图1.26（d）所示为大功率管。 1. 三极管内部PN结的结构 对模拟信号进行处理最基本的形式是放大。 具有电流放大作用的三极管，PN结内部结构的特殊性是： ① 为了便于发射结发射电子，发射区半导体的掺杂溶度远高于基区半导体的掺杂溶度，且发射结的面积较小； 1.6.2三极管的电流放大作用 半导体二极管内部只有一个PN结，若在半导体二极管P型半导体的旁边，再加上一块N型半导体，由图1.24（a）可见，这种结构的器件内部有两个PN结，且N型半导体和P型半导体交错排列形成3个区，分别称为发射区、基区和集电区。 晶体三极管通常简称三极管或晶体管，三极管在电路中常用字母VT来表示。 ② 发射区和集电区虽为同一性质的掺杂半导体，但发射区的掺杂溶度要高于集电区的掺杂溶度，且集电结的面积要比发射结的面积大，便于收集电子； ③ 联系发射结和集电结两个PN结的基区非常薄，且掺杂溶度也很低。 放大器是一个有输入和输出端口的四端网络，要将三极管的3个引脚接成四端网络的电路，必须将三极管的一个脚当公共脚。 取发射极当公共脚的放大器称为共发射极放大器，基本共发射极放大器的电路如图1.27所示。 图1.27基本共发射极放大电路 共发射极电路三极管内部载流子运动情况的示意图如图1.28所示。 图1.28中载流子的运动规律可分为以下的几个过程。 2. 共发射极电路三极管内部载流子的运动情况 （1） 发射区向基区发射电子的过程 （2） 电子在基区中的扩散与复合的过程 （3） 集电结收集电子的过程 图1.28载流子运动情况示意图 3. 三极管的电流分配关系和电流放大系数 1.6.3三极管的共射特性曲线 三极管的特性曲线是描述三极管各个电极之间电压与电流关系的曲线，它们是三极管内部载流子运动规律在管子外部的表现。 三极管共发射极放大电路的特性曲线有输入特性曲线和输出特性曲线，下面以NPN型三极管为例，来讨论三极管共射电路的特性曲线。 1. 输入特性曲线 图1.29输入特