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　　主要参数 　　开启电压UGS(th)： 　　它定义为当uDS为一定值时， 使增强型场效应管开始有电流（一般用iD＝10 μA）时的uGS就是UGS(th)。 二、 场效应晶体管 　　 2. N沟道耗尽型MOS场效应管 　　N沟道耗尽型MOS场效应管的工作原理和N沟道增强型MOS场效应管相似。 只不过在uGS＝0时， 已经有了导电沟道。 也就是在uGS＝0时， 在外加UDD的作用下已经可以产生漏极电流iD。 二、 场效应晶体管 耗尽型MOS场效应管 二、 场效应晶体管 　　耗尽型场效应管的主要参数 　　夹断电压UGS(off) 　　漏极饱和电流IDSS 二、 场效应晶体管 一、半导体三极管 一、半导体三极管 　　（二）三极管中的电流分配关系 NPN PNP 电流方向和各极极性 一、半导体三极管 　　三极管中的电流分配 IE=IC+IB 一、半导体三极管 　　（三）三极管的输出伏安特性 一、半导体三极管 　　1） 截止区 　　习惯上把iB≤0的区域称为截止区， 即iB＝0的输出特性曲线和横坐标轴之间的区域。 若要使iB≤0， 三极管的发射结就必须在死区以内或反偏， 为了使三极管能够可靠截止， 通常给三极管的发射结加反偏电压。 　　2） 放大区 　　在这个区域内， 发射结正偏， 集电结反偏。 iC与iB之间满足电流分配关系iC＝β iB＋ICEO， 输出特性曲线近似为水平线。 一、半导体三极管 　　3） 饱和区 　　如果发射结正偏时， 出现管压降uCE＜0.7 V（对于硅管来说），则称三极管进入饱和区。 所以饱和区的发射结和集电结均处于正偏状态。 　　饱和区中的iB对iC的影响较小， 放大区的β也不再适用于饱和区。 一、半导体三极管 　　（四）三极管的主要参数 　　三极管的参数是表征管子的性能和它的适用范围的， 是电路设计和调整的依据。 了解这些参数对于合理使用三极管十分必要。 　　1． 电流放大系数 　　根据工作状态的不同， 在直流和交流两种情况下， 分别有直流电流放大系数和交流电流放大系数。 ? 一、半导体三极管 　　1）共发射极直流电流放大系数 一、半导体三极管 2）共发射极交流电流放大系数β β值是衡量三极管放大能力的重要指标。 一、半导体三极管 　　2.极间反向电流 　　1） 集电极—基极间反向饱和电流ICBO 　　指在发射极断开时（IE＝0）， 基极和集电极之间的反向电流， 受温度影响较大。 　　ICBO的值一般很小， 在室温下， 小功率硅管的 ICBO≤1 μA； 小功率锗管约为10 μA左右。 ICBO越小越好， 一般在工作环境温度变化较大的场所都选择硅管。 一、半导体三极管 　　2） 集电极—发射极间反向电流ICEO 指基极开路时， 集电极与发射极之间加一定反向电压时的集电极电流。 由于这个电流从集电极穿过基区流到发射极， 因此又叫穿透电流。 　　　　ICEO=(1+β)ICBO 　　ICEO 属于少子漂移电流， 受温度影响较大， 是衡量管子质量的一个标准。 一、半导体三极管 　　3.极限参数 　　三极管正常工作时， 管子上的电压和电流是有一定限度的， 否则会使三极管工作不正常， 使特性变坏， 甚至损坏。 因此要规定允许的最高工作电压、 流经三极管的最大工作电流和允许的最大耗散功率等。 一、半导体三极管 　　1）基极开路时集电极与发射极之间的反向击穿电压U（BR）CEO 一、半导体三极管 　　2）集电极最大允许电流ICM 　　一般规定在正常工作时， 流过三极管的集电极电流iC＜ICM。 一、半导体三极管 　　3）集电极最大允许耗散功率PCM 　　这个参数表示集电结上允许损耗功率的最大值。 　　PCM与环境温度有关， 温度越高， PCM越小。 一、半导体三极管 　　4. 温度对三极管参数的影响 温度对晶体管的各种参数都有影响， 影响最大的是ICBO、 β和发射结导通电压UBE。 　　1． 温度对ICBO的影响 　　温度每升高10 ℃， ICBO就增大一倍。 一、半导体三极管 　　2.温度对β的影响 　　三极管的电流放大系数β随着温度升高而增大。 　　温度每升高1 ℃， β相应地增大0.5％～1％。 一、半导体三极管 　　3.温度对发射结正向压降UBE的影响 　　在电流相同的条件下， 发射结电压UBE减小。 　　温度系数约为－2.5 mV／℃。 一、半导体三极