晶体管基本放大电路.docVIP

11-3 晶体管基本放大电路 一、晶体管的工作状态 半导体三极管又称为晶体管。晶体管的工作状态分为放大、截止、饱和。在放大状态，晶体管起放大作用；在截止和饱和状态，晶体管起开关作用。 晶体管的上述三种工作状态可以在共发射极输出特性曲线上表示。所谓共发射极输出特性就是在某一给定的基极电流Ib下，集电极电流Ic和集电极-发射极电压Uce的关系，如图11-23所示。曲线分为截止区、放大区和饱和区。在放大区内，Ib的变化引起Ic按比例的变化的部分，称为放大区的线性部分；而靠近截止区或饱和区的部分，Ib和Ic不是按比例变化，称为放大区的非线性部分。 晶体管三种工作状态和参数关系如表11-52所示。 图11-23 3AD6晶体管共发射极输出特性 表11-52 晶体管三种工作状态和参数关系 工作状态 截止状态 放大状态 饱和状态 PNP型 NPN型 参数关系 Ib ≤0（Ib为负，代表其实际方向和图中所示相反，即与放大和饱和时的Ib方向相反） 0 （其实际方向如图所示） Uc/βRc Uc （V） P N P 锗管 +0.3～-0.1 -0.1～-0.3 比-0.3更负 硅管 +0.3～-0.6 -0.6～-0.8 比-0.8更负 N P N 锗管 -0.3～+0.1 +0.1～+0.3 大于+0.3 硅管 -0.3～+0.6 +0.6～+0.8 大于+0.8 Ic ≤Iceo =βIb+ Iceo ≈Uc/Rc Uce ≈Uc = Uc - Ic Rc Ube 工作状态的特点 当Ib≤0时，集电极电流很小（小于Iceo ），晶体管相当于开断（即截止），电源电压Uc几乎全部加在管子两端 Ib从0逐渐增大，集电极电流Ic也按比例增加微弱的Ib的变化能引起Ic较大的变化，晶体管起放大作用 当IbUc/βRc时，Ic≈Uc/Rc。并不再随Ib的增加而增加（即饱和），管子两端压降很小，电源电压Uc几乎全部家在负载电阻Rc两端 二、晶体管低频放大电路 1.晶体管放大电路三种基本接法 晶体管放大电路三种基本接法如表11-53所示。 表11-53 晶体管放大电路接法 接法 性能 共射电路 共基电路 共集电路 带Re的共射电路 交流 通路 AI 大 （几十～一百以上） β 小 （小于、近于1） -α 大 （几十～一百以上） -（1+β） （同共射电路） AO 大 - 大 小 （小于、近于1） 较小 （几～几十） rI 中 （几百欧～几千欧） 小 （几欧～几十欧） 大 （几十千欧以上） 较大 （几千欧～几十千欧） rO 中 （几十千欧～几百千欧） 大 （几百千欧～几兆欧） 小 （几欧～几十欧） 较大 （几十千欧～几兆欧） 频率 响应 差 好 较好 差 相位 反相 同相 同相 反相 2.工作点和偏置电路 工作点是指无输入信号时的伏安特性，也称静态工作点。表示静态工作的有Ib、Ic、Iceo三个参数。因Ib能改变电路的工作情况，所以用固定Ib的电路叫做偏置电路。 偏置电路能决定放大电路的工作情况，因为环境温度的变化会使晶体管参数急剧的变化，所以偏置电路的设置极为重要。偏置电路及有关参数的计算公式如表11-54所示。 表11-54 偏置电路 电路 形式 共发射极放大电路 固定偏压 分压式电流负反馈偏置 具有部分未旁路射极电阻 电路图 静态工作点 输入 电阻 电压放大倍数 输出 电阻 特点和应用 电路简单，放大倍数大，但工作点不稳定，只能用在温度变化小，技术要求不高的情况 放大倍数大，工作点稳定，较广泛的应用 工作点十分稳定，放大倍数小，输入电阻大，应用广泛 电路 形式 共发射极放大电路 具有输入变压器 直耦双管 电路图 静态工作点 输入 电阻 电压放大倍数 输出 电阻 特点和应用 工作稳定，输入端便于阻抗匹配 工作点稳定 电路 形式 发射极输出（共集电极电路） 共基极电路 电路图 静态工作点 输入 电阻 电压放大倍数 输出 电阻 特点和应用 输入电阻大，输出电阻小，有电流放大而无电压放大，多用在输入或输出级 输入电阻小，有电压放大而没有电流放大，高频特性好，多用在高频放大 3.音频小信号放大电路 音频一般指20～20000Hz的低频信号，小信号是指信号电平使晶体管工作在放大区中的线性范围内，它只占放大区的很小部分。小信号放大电路用来将微弱信号进行放大后去推动功放级，因此也称前置放大电路。为了要能推动功放电路，须用二级甚至多级放大电路，多级放大电路内部各级之间的连接方式称为耦合方式，常用多级音频放大电路，如图11-24所示。 图11-24 音频小信号放大电路 4.音频功率放大电路 以输出功率为主要目的的放大电路称为功率放大电路，它不仅要有较大的电流输出，还要求有较高的电压输出，多用于多级放大电路末级。 （1）功率放大器的特点 要求输出功率