模拟电子技术第1章二极管及应用 (3).pptVIP

1.2　半导体二极管 1.2.1 二极管的结构 1.2.2 二极管的主要特性 1.2.3 二极管的主要参数 第 1 章　半导体二极管及其应用 1.2.1 二极管的结构 构成： PN 结 + 引线 + 管壳 = 二极管(Diode) 符号： A (anode) C (cathode) 分类： 按材料分 硅二极管 锗二极管 按结构分 点接触型 面接触型 点接触型 正极 引线 触丝 N 型锗片 外壳 负极 引线 负极引线 面接触型 N型锗 PN 结 正极引线 铝合金 小球 底座 金锑 合金 平面型 正极引线 负极引线 集成电路中平面型 P N P 型支持衬底 第 1 章　半导体二极管及其应用 1.2.2 二极管的主要特性 1、正向特性与反向特性 O uD /V iD /mA 正向特性 Uth 死区 电压 iD = 0 Uth = 0.5 V 0.1 V (硅管) (锗管) U ? Uth iD 急剧上升 0 ? U ? Uth UD(on) = (0.6 ? 0.8) V 硅管 0.7 V (0.1 ? 0.3) V 锗管 0.2 V 反向特性 IS U (BR) 反向击穿 U(BR) ? U ? 0 iD = IS 0.1 ?A(硅) 几十 ?A (锗) U U(BR) 反向电流急剧增大 (反向击穿) 第 1 章　半导体二极管及其应用 二极管的单向导电性 反向击穿类型： 电击穿 热击穿 — PN 结未损坏，断电即恢复。 — PN 结烧毁。 2、反向击穿电压 齐纳击穿： (Zener) 反向电场太强，将电子强行拉出共价键。 (击穿电压 6 V，负温度系数) 雪崩击穿： 反向电场使电子加速，动能增大，撞击 使自由电子数突增。 (击穿电压 6 V，正温度系数) 击穿电压在 6 V 左右时，温度系数趋近零。 第 1 章　半导体二极管及其应用 硅管的伏安特性 锗管的伏安特性 60 40 20 – 0.02 – 0.04 0 0.4 0.8 –25 –50 iD / mA uD / V iD / mA uD / V 0.2 0.4 – 25 – 50 5 10 15 –0.01 –0.02 0 第 1 章　半导体二极管及其应用 二极管的伏安特性 3、温度对二极管特性的影响 60 40 20 – 0.02 0 0.4 –25 –50 iD / mA uD / V 20?C 90?C T 升高时， UD(on)以 (2 ? 2.5) mV/ ?C 下降 第 1 章　半导体二极管及其应用 1.2.3 二极管的主要参数 1. IF — 最大整流电流(最大正向平均电流) 2. URM — 最高反向工作电压，为 U(BR) / 2 3. IR — 反向电流(越小单向导电性越好) 4. fM — 最高工作频率(超过时单向导电性变差) iD uD U (BR) I F URM O 第 1 章　半导体二极管及其应用 影响工作频率的原因 — PN 结的电容效应 结论： 1. 低频时，因结电容很小，对 PN 结影响很小。 高频时，因容抗增大，使结电容分流，导致单向 导电性变差。 2. 结面积小时结电容小，工作频率高。 第 1 章　半导体二极管及其应用