P型硅和N型硅.docVIP

P型硅和N型硅 我们把导电能力介于导体和绝缘体之间的这一类材料统称为半导体。完全不含杂质且无晶格缺陷的纯净半导体称为本征半导体。绝对地纯净的半导体是不存在的，一般来说，将导电主要由材料的 本征激发决定的纯净半导体称为本征半导体。硅和硅都是四价元素，其原子核最外层有四个价电子。它们都是由同一种原子构成的“单晶体”，属于本征半导体。 在本征半导体中掺入特定的杂质就可以制成P型半导体和N型半导体；在本征半导体硅中掺入微量的特定杂质——三价元素铟，铟原子将替代了硅晶体中某些硅原子的位置。由于铟的价电子只有三个，掺入后，它的三个价电子分别和相邻的三个硅原子的价电子组成共价键，那么第四个共价键必然缺少一个电子，这就留下了一个空穴。图1是掺杂后结构状态的平面示意图，其中浅色圈代表硅原子，深色圈代表铟原子显然。只需掺入一个铟原子，就会出现一个空穴。尽管掺入的杂质铟是微量的，但是其激发的空穴大大超过本征半导体中的电子空穴对，使空穴总数量大大增加。所以它的导电能力大大提高。导电能力随掺杂量大而增大。这种掺杂硅半导体我们称之为P型硅半导体。 如果在本征半导体硅中掺入微量的五价元素磷，由于磷的价电子有五个，掺入后，它的四个价电子分别和相邻的四个硅原子的价电子组成4个共价键，结果还有多余一个电子，这个电子将成为自由电子。图2是掺杂后结构状态的平面示意图，其中浅色圈代表硅原子，深色圈代表磷原子。同样磷元素贡献的自由电子大大超过本征的电子空穴对，此时形成 的我们称为N型硅半导体。 图1 硅掺铟后结构状态平面示意图 图2 硅掺磷后结构状态平面示意图 所以，在本征半导体硅中加入微量的3价元素（硼、镓、铟），就得到P型硅半导体，内部载流子数量大大增加，且多数载流子是空穴，还有少数载流子自由电子 ；在本征半导体中加入微量的5价元素（磷），就得到N型硅半导体，内部载流子数量大大增加，且多数载流子是自由电子，还有少数载流子空穴 。 在外观上，p型硅片和n型硅片的缺口按切向不同而不同。见下图所示：