第七讲-化学气相沉积-PECVD技术.pptVIP

第七讲 薄膜材料的等离子体辅助CVD制备技术 Preparation of thin films by plasma enhanced CVD （PECVD) processes 提 要 等离子体的一般性质 等离子体辅助CVD的机理和特点 等离子体辅助的CVD方法 等离子体辅助化学气相沉积（PECVD) PECVD 的主要优点 薄膜 PECVD 低温沉积的主要优点 PECVD方法存在的问题 PECVD薄膜沉积均匀性的条件 PECVD薄膜沉积过程的数学模拟 第六讲 小结 薄膜的CVD过程可以由等离子体辅助来实现 PECVD的主要特点是它可以有效降低CVD过程的温度 各种辉光、甚至弧光放电过程都可以被用于PECVD 直流、射频、微波激励手段都可被用于PECVD 基本概念复习 等离子体中电子所涉及的微观过程 等离子体的一般性质 PECVD 技术的主要优点 PECVD 涉及的主要微观过程 各种等离子体的产生方法和相应的 PECVD 技术简况 PECVD 方法的局限性 思 考 题 查阅文献，找出由SiH4沉积Si的典型的CVD温度和PECVD温度，并对造成两种工艺异同点的原因进行讨论。 讨论热CVD过程和PECVD过程在薄膜沉积均匀性方面可能出现的差异。 比较使用电容耦合式的射频PECVD方法制备S