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晶体管的功率特性 集电结最大耗散功率 集电结最大耗散功率是晶体管参数的变化不超过规定值时的最大集电结耗散功率。 晶体管的功率特性 集电结最大耗散功率相关因素 在晶体管的散热情况和环境温度一定时，消耗的功率越大，管芯的结温就越高。由于管芯结温不能超过晶体管的最高结温，因此晶体管的耗散功率也不允许任意大。显然与最高结温对应的耗散功率就是晶体管的最大允许耗散功率，即 晶体管的最高结温是指晶体管能正常地、长期可靠工作的最高PN结温度。 晶体管的功率特性 晶体管热阻 晶体管工作时，集电结产生的热量要散发到周围空间中去，会遇到一种阻力，把这种阻力叫“热阻”。晶体管的热阻是表征晶体管工作时所产生的热量向外散发的能力，它表示晶体管散热能力的大小。 晶体管的功率特性 晶体管热阻 晶体管的功率特性 降低晶体管热阻 降低内热阻：通过适当减薄硅片和铝片厚度，增大集电结面积或周界长度来减小内热阻。 降低外热阻：可以通过减小接触热阻，增大散热面积来实现。 减少接触热阻的措施： ① 尽量使管座与散热器的接触面平整、光滑、清洁且不氧化。 ② 在接触界面处涂覆硅脂。 ③ 在安装晶体管时，接触面应尽量压紧。 晶体管的功率特性 晶体管的二次击穿 当集电极反向偏压增大到某一值时，集电极电流急剧增加，出现击穿现象，这个首先出现的击穿现象称为一次击穿。当集电极反向偏压进一步增大，增大到某一临界值时，晶体管上的压降突然降低，而电流继续增长，这个现象称为二次击穿。 晶体管的功率特性 晶体管的二次击穿 晶体管的功率特性 二次击穿机理—电流集中二次击穿 在晶体管内部出现电流局部集中，形成过热点，导致该处发生局部热击穿的结果。 晶体管的功率特性 镇流电阻 晶体管的功率特性 二次击穿机理—雪崩注入二次击穿 晶体管的功率特性 集电极最大工作电流 共发射极电流放大系数下降到最大值的一半时所对应的集电极电流。 晶体管的功率特性 不使晶体管损坏和老化，而且工作可靠性又较高的区域叫做安全工作区。 晶体管的安全工作区 晶体管的开关特性 晶体管的开关作用 开关电路中的晶体管多采用共发射极接法。晶体管的开关作用是通过基极输入脉冲控制集电极回路的通断来实现的。 晶体管的开关特性 晶体管的开关工作区域 晶体管做开关运用时，它的“开”与“关”两种工作状态分别对应子输出特性曲线中的饱和区和截止区。 晶体管的开关特性 饱和区 在饱和状态时，晶体管的发射结处于正向偏置，发射结偏压约为0.7V，而C，E间的压降约为0.3V。这表明 C极电位低于B极，即集电结也处于正向偏置，这是晶体管饱和的重要特点之一。使晶体管由放大区进入饱和区的临界基极电流称为临界饱和基极电流。 晶体管的开关特性 截止区 晶体管的发射结加上反向偏压（或零偏压），集电结也加上反向偏压，晶体管就处于截止区，这时晶体管内只有反向漏电流流过，其数值极小。 晶体管的开关特性 理想晶体管的开关波形 晶体管的开关特性 实际晶体管的开关波形 晶体管的开关特性 延迟过程 在晶体管开启以前，晶体管处于截止态，发射结和集电结都处于反向偏置，因此它们的势垒区是比较宽的，势垒区中有比较多的空间电荷。在输入电压刚刚变正时，发射结的势垒区还保持在原来的状态，即势垒区有比较多的空间电荷，势垒区还很宽。由于发射结势垒电容电压不能突变，也就是发射结仍然保持在负偏压或零偏压的状态，所以没有析从发射区注入到基区。 晶体管的开关特性 上升过程 在延迟过程结束后，晶体管的发射结偏压将继续上升，从0.5 V变到0.7V左右，于是发射区就向基区注人较多的电子，电子在基区中积累，形成一定的浓度梯度，其中一部分在 基区中复合掉，其余的输运到集电结，形成集电极电流。随着发射结偏压的上升，注入到基区的电子增多，电子的浓度梯度增大，集电极电流也随着增大，这就是上升过程。 晶体管的开关特性 在上升过程结束以后，由于晶体管处于过驱动状态，集电结从零偏变为正偏，集电区除了要向基区注入电子外，基区也要向集电区注入空穴，所以在集电区中也有一部分空穴电荷累量—超量贮存电荷。 贮存电荷 晶体管的开关特性 下降过程 在贮存过程结束后，晶体管中的电荷分布又回到和上升过程结束时相同的情况，在下降过程中，集电结从零偏压降到负偏压，发射结的正向偏压从0