NEAGaN光电阴极材料光学特性研究.PDFVIP

第39 卷 第7 期 红 外 技 术 Vol.39 No.7 2017 年7 月 Infrared Technology July 2017 〈微光技术〉 NEA GaN 光电阴极材料光学特性研究 1 1 2 1 2 乔建良 ，高有堂 ，徐 源 ，牛 军 ，常本康 （1．南阳理工学院 电子与电气工程学院，河南 南阳 473004 ；2 ．南京理工大学 电子工程与光电技术学院，江苏 南京 210094 ） 摘要：针对NEA GaN 光电阴极结构设计和制备工艺需进一步优化的问题，结合阴极量子效率表达式 和影响量子效率的因素，采用理论和实验相结合的方法，分别研究了 GaN 光电阴极材料的表面反射 率、光学折射率、光谱吸收系数以及透射光谱等光学参数。结果表明在250 nm 到365 nm 的波长范围 内，表面反射率相对平稳，是影响量子效率的直接因素，而光学折射率则通过电子表面逸出几率间接 影响着量子效率。给出了均匀掺杂GaN 光电阴极的光谱吸收系数的特点，根据变掺杂NEA GaN 光电 阴极的结构特点，给出了光谱平均吸收系数的概念和等价计算公式，并对均匀掺杂与变掺杂NEA GaN 光电阴极光谱吸收系数进行了对比。 关键词：GaN；光电阴极；量子效率；变掺杂；光谱吸收系数 中图分类号：TN304 文献标识码：A 文章编号：1001-8891(2017)07-0664-05 Optical Characteristics of NEA GaN Photocathode Material 1 1 2 1 2 QIAO Jianliang ，GAO Youtang ，XU Yuan ，NIU Jun ，CHANG Benkang (1. School of Electronic and Electrical Engineering, Nanyang Institute of Technology, Nanyang 473004, China; 2. School of Electronic Engineering and Optoelectronic Techniques, Nanjing University of Science and Technology, Nanjing 210094, China) Abstract ：To optimize the structure design and preparation technology of NEA GaN photocathode, considering the cathode quantum efficiency formula and the factors that influence the quantum efficiency, the surface reflectivity, optical refractive index, spectral absorption coefficient and transmission spectra of GaN photocathode material were studied theoretically and experimentally. As a direct influencing factor of the quantum efficiency, the surface reflectivity is relatively st