用ISE对P沟VDMOS进行仿真设计.PPTVIP

用ISE对P沟VDMOS进行仿真设计 西安卫光科技有限公司 2010.10.23 引言 功率VDMOS是新一代大功率半导体器件，主要优点是开关速度快、驱动功率小、安全工作区宽、温度稳定性好，正在取代传统的双极型大功率半导体器件，市场需求量巨大，主要是N沟VDMOS。但在音响功放等应用方面需要N沟、P沟器件配对使用，因而P沟VDMOS也有一定的市场需求。本文主要介绍P沟VDMOS的设计。 结构和主要参数 （一）结构 图1 P沟 VDMOS结构示意图 结构和主要参数 （二）主要参数： （1）最大漏极饱和电流 最大漏极饱和电流由氧化层厚度、沟道的宽长比等 决定 （2）阈值电压 阈值电压由氧化层厚度、沟道表面浓度决定 （3）耐压 耐压由外延层厚度和杂质浓度决定 结构和主要参数 （二）主要参数： （4）导通电阻 主要包括沟道电阻、JFET区电阻和外延电阻 （5）漏端电压恒定时的跨导 跨导由氧化层厚度和沟道的宽长比决定 （6）栅电荷：