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实验名称: Si(Li) X射线谱仪 一、目的: 了解Si(Li)谱仪的工作原理和基本技能，初步掌握它的使用方法。 对谱仪进行能量刻度，计算谱仪的能量分辨率。 学会一种元素的分析方法—荧光分析法。 二、设备: Si(Li)探测器 前放，主放，高压电源 238Pu激发源 Mn，Fe，Co，Cu，Zn等纯金属或氧化物片 待分析药品 三、步骤: 用238Pu作激发源 分别测(Fe，Co，Zn，Mn，Ni，Cu)特征谱，记下每种元素的Kα峰中心道的道数和半宽度。要求峰中心道记数误差不大于4% 测待分析样品特征谱。记下Kα峰位的道址。 四、 报告: 1. 由Mn，Fe，Co，Ni，Cu和Zn的k∞峰位道址与能量(由手册中查出)作能量刻度曲线。 2. 计算各种元素的Kα峰的半宽度(以能量为单位)和能量分辨率，作出能量?E与能量分 辨率的曲线。 3. 根据待分析样品的Kα峰位和能量刻度曲线，确定该元素为何种元素。 实验名称: NaI(Tl) γ单晶闪烁谱仪 一、目的: 1. 了解NaI(Tl)γ单谱的基本结构和单能谱的形状。 2. 用一套标准源对谱仪进行能量刻度，验证分辨率和能量关系。 3. 用相对比较法测未知源的活度。 二、设备: NIM插件箱供电装置。 FH~1034A高压，FH1001A线性放大器各一台。 FH1001A定标器一台。 FJ375 Na(Tl)γ探头一个 多道分析器一台 标准源一套，待测源一个。 三、步骤: 1选择好工作高压和放大器放大倍数，使137Cs的全能峰位于100道附近(多道分析器的道数选择为256道)。测137Cs的全谱，定时五分钟，并记录下来(参考数:工作高压:4*150伏，放大*4) 2 用137Cs，60Co源对谱仪进行能量刻度:分别记下它们的全能峰道道址和半宽度FWHM所对应的道数。 3 测未知源的强度:测其能谱和它的一个全能峰的面积:选出与它相应的标准源，测出同一全能峰的面积:去掉源测本底(注意:测量时要保持能量不变，测量时间，道宽，放大倍数一相同) 注:全能峰下总计数误差1%。 四、报告: 1. 在半对数坐标纸上画出137Cs的能谱，求出FWHM和能量分辨率。 2. 用标准源做能量刻度曲线。并用最小二乘直线拟合，求出它的直线表达式，并求出各峰的FWHM的能量值。 3. 鉴别未知源为何种源(说明原因)，标出源活度(注意标准源的生产日期，活度，半衰期)。 实验名称:金硅面垒α谱仪 一、 目的: 对谱仪进行能量刻度;计算能量分辨率; 确定未知源的α能量; 测量239Pu的α能量: 二、 设备: 1. FH—445A α探头架 2 .FH—423 电荷灵敏前置放大器，主放大器 3. S—30 多道分析器 4. 真空机械泵 5. 241Am和239Pu α源 三、 步骤: 将241Am α源放入真空室内，抽真空。 连好线路，调整谱仪参数。确定探测器的工作电压参考数，前置放大*5主放大100*0.6 用标准源241Am和239Pu作能量刻度，测241Am和239Pu谱(300sec)并记录下来，作能量刻度曲线(道址~能量)，计算各峰的能量分辨率和半宽度FWHM的能量值。 测未知源的α谱，记下峰位道址，由能量刻度曲线查出未知源的α能量; 测量239Pu的α射程R: 通过活塞改变气压P，测量不同气压下峰下的面积值。 参考数:源距R0=4.4cm 在P为30—10区间，每隔5寸测一个点 10—2.5区间每隔1寸测一个点 总计数误差为4% 做N~Rp曲线，求α的平均射程R Rp是将气压为P时得空气厚度换算成大气压P0时的距离:由于 Rp∝P，设Rp=Kp，又R0=Kp0 ∴Rp=(R0/P0)*p 其中R0=4.4cm。 P0=1各大气压＝760mm汞柱 P与表头上示数关系为 　　　　P=P0(1-L/30) L为表头示数（以寸为单位） ∴Rp=R0(1-L/30) 四、　注意事项： 1. 注意保护探测器和源表面不受损伤，不要用手或镊子去触摸探测器和 源表面 2. 偏压不要超过150V 3. 由于标准α表面都有一层保护膜，因而α的能量有所降低，２４１Am的能量由5.486降为4.8Mev，239Pu的α能量由5.155降为4.6Mev。所以作能量刻度时用降低后的能量值为标准。 五、 报告: 画出241?Am和239Pu 的能谱，计算出能量分辨率和用能量为单位的半宽度FWHM。 能量刻度曲线，求出其斜率和截距，写出能量和道数之间的表达式。 求未知源的α能量。 确定239Pu的α射程R。 实验名称: HP(Ge)γ谱仪 一、目的: 了解谱仪的工作原理。 掌握谱仪的基本性能的测量方法。 测量和分析未知样品的γ能谱。 二、设备: