第三章---半导体中载流子的统计分布.pptVIP

不同温度下的费米分布函数与能量的关系 （1） 当T= 0 时 E EF ， f（E）= 0 E EF ， f（E）= 1 EF 为电子占据状态的分界线 （2） 当T 0 时 E = EF ， f（E）= 1/2 E EF ， f（E） 1/2 E EF f（E） 1/2 若E-EF k0T f（E）= 0 若E-EF k0T f（E）= 1 如 E-EF5 k0T f（E）0.007% E-EF-5 k0T f（E）0.993% EF 为电子占据状态的分界线 T=0K 1/2 T2T1 E T1 T2 费米能级的意义： （1）它是电子热力学系统的化学势，它标志在T=0K时电 子占据和未占据的状态的分界线。即比费米能级高的 量子态，都没有被电子占据，比费米能级低的量子态 都被电子完全占据。 （2）处于热平衡状态的系统由统一的费米能级。 （3）费米能级与温度、半导体材料的导电类型、杂质的含 量有关 费米能级的位置比较直观地反映电子占据量子态的水平。 EF EA （a） （b） （c） （d） （e） EF EF EF EF 强p型 p型 本征 n型 强n型 Ei 费米能级越靠近导带底，说明中导带电子浓度越高。 费米能级越靠近价带顶，则说明中价带空穴浓度越高。 f(E)表示能量为E的量子态被电子占据的几率，那么1－ f(E)就是能量为E的量子态不被电子占据的几率，若该量子态属于价带，这也就是它被空穴占据的几率。即 被电子占据的概率f(E)与空状态 （被空穴占据）的概率1-f(E) 例题 导带边缘Ec被填满的状态几率正好等于价带边缘Ev处空态的几率，求此时费米能级的位置 解：由 f(Ec)=1-f(Ev) 可得： EF=(Ec+Ev)/2 位于禁带中间 例题2 （a)在热平衡条件下，温度T大于0K，电子能量位于费 米能级时，电子态的占有几率是多少？ (b)若EF位于EC，试计算状态在EC+kT时发现电子的几率 。 (c)在EC+kT时，若状态被占据的几率等于状态未 被占据的几率。此时费米能级位于何处？ 由题意得： 解之得： 二、玻耳兹曼（Boltzmann）分布函数 当E-EFkT时， 由于 所以 费米分布函数 当E-EFkT时 波尔兹曼函数 导带中的电子大多数分布在导带底附近 价带中的空穴大多数分布在价带顶附近 费米分布函数和玻尔兹曼分布函数的比较 玻尔兹曼分布与费米分布的区别 费米统计受泡利不相容原理限制，即不允许 两个相同的粒子占据同一状态。 玻尔兹曼分布（玻色子）允许相同的两个粒子 占据同一状态。 但当 f（E） 1 时费米分布的限制已形同虚设，其差别可不忽略不计。 空穴分布函数： 价带顶空穴占据几率大， 价带底空穴占据几率～0 当EF-E K0T 时，上式分母中的1可以略去，则 三、简并半导体与非简并半导体 简并半导体：掺杂浓度高，对于n型半导体，其费米能级EF接近导带或进入导带中；对于 p型半导体，其费米能级EF接近价带或进入价带中的半导体 非简并半导体：掺杂浓度较低，其费米能级EF在禁带中的半导体 p型半导体 n型半导体 非简并 弱简并 简 并 通常把适用于玻耳兹曼统计的半导体称为非简并半导体，而将必须使用费米统计计算载流子密度的半导体称为简并半导体。 非简并 弱简并 简并 简并 弱简并 四、非简并半导体中的载流子统计 导带电子的统计 在能量E～（E+dE）间的电子数dN为 把gc(E)和fB (E)代入上式，得 或改写成在能量E～（E+dE）间单位体积中的电子数dn为 引入： 利用积分公式： 对上式积分，可算得热平衡状态下非简并半导体的导带电子浓度n0为 导带的有效状态密度Nc Nc∝T3/2 简化得 电子占据导带底Ec 的几率 把导带中所有量子态都集中在导带底Ec，而它的状态密度为Nc，则导带中的