光电导探测器.pptVIP

光电信号检测 一、光电导效应 光电导效应只发生在某些半导体材料和绝缘体材料中，金属没有光电导效应。 金属之所以导电，是由于金属原子形成晶体时产生了大量的自由电子。自由电子浓度是个常量，不受外界因素影响。 半导体在0K时，导电载流子浓度为0。在0K以上，由于热激发而不断产生热生载流子(电子和空穴)，它在扩散过程中又受到复合作用而消失。在热平衡下，单位时间内热生载流子的产生数目正好等于因复合而消失的数目。因此在导带和价带中维持着一个热平衡的电子浓度n和空穴浓度p，它们的平均寿命分别用τn和τp表示。 如果半导体的截面积是A，则其电导(亦称为热平衡暗电导)G为 所以半导体的电阻Rd(亦称暗电阻)为 关于G的讨论： 当G＝1时，表示光生载流子平均寿命τ0刚好等于它在电极间的渡越时间τd ，每产生一个光电子对外回路电流正好提供一个电子的电荷e。 当G1时，表示τ0小于τd ，显然每个光电子对外回路电流的贡献将小于一个电子的电荷e。 对G1的情况，似乎光电子已渡越完毕，但其平均寿命却还未中止。 这种现象可以解释为：光生电子向正极运动，空穴向负极移动，空穴在移动过程中很容易被半导体内晶体缺陷和杂质形成的陷阱所俘获。 因此，当光电子在阳极消失时，空穴仍留在体内，它将负极的电子感应到半导体中来，感应到体内的电子又在电场中运动到正极，如此循环，直到正电中心（被俘获的空穴）消失。 显然，这种效应相当于一个光子激发，可以有多个电子相继通过电极，因而在外回路对总的光电流的贡献将多于一个电子，相当于光电流被放大。 由于载流子平均寿命τ0是一个统计平均值，故光电导探测器的内增益G也是一个统计平均量。 结论： 光电导探测器是一个具有内增益的器件。内增益G与器件的材料、结构尺寸及外加偏压（偏流）有关。 对于光生载流子平均寿命长、迁移率大的光电导材料，极间距离小的光电导探测器，G值可达到几百。 (b)为光电导探测器的直流等效电路，RL表示光电导探测器输出回路的等效负载电阻，它可以是探测器后续信号处理电阻或前置放大器的等效输入电阻。 讨论： 灵敏的光电导探测器，必然具有很大的增益系数，由于增益系数可看成是一个自由载流子的寿命τ与该载流子在光电导探测器两极间的有效渡越时间tdr之比，因此只要载流子的平均寿命大于有效渡越时间，增益就可大于1。 减小电极间的间距L，适当提高工作电压，对提高G值有利。 但如果L减得太小，使受光面太小，致使光电导探测器集光面积太小而不实用。 若延长载流子寿命也可提高增益系数，但这样会减慢响应速度，因此，在光电导探测器中，增益与响应速度是相矛盾的。 一般G值不超过103数量级。 光电导探测器的内增益与VA 、τn、 τp 有关，所以光电导探测器的响应率与所加偏压VA及载流子寿命τn、 τp有关。 偏压越高，在光电导变化相同的情况下，输出的电流(或电压)越大，响应率就越高，但随着外加偏压的升高，通过器件的电流产生的焦耳热也随之增加，所以外加偏压的增加受到器件所能承受的最大功耗的限制。 此外，载流子寿命的增加，意味着光电导器件所产生的光生载流子对回路有效电荷的贡献增大，使器件的响应率提高。为此，在实际制作器件时，往往有意在半导体中加入一些陷阱，以增大载流子寿命来提高响应率。 光电导探测器的响应率还与光敏面积有关；因为在入射光功率一定时，光敏面积越大，单位体积内光吸收就越小，亦即单位体积内光生载流子产生率要减小，所以响应率下降。 增大增益系数G可以提高光谱响应率，实际上常用的光电导探测器的光谱响应率小于1A／W，原因是： 产生高增益系数的光电导探测器电极间距需很小，致使光电导探测器集光面积太小而不实用。 若延长载流子寿命也可提高增益系数，但这样会减慢响应速度，因此，在光电导探测器中，增益与响应速度是相矛盾的。 图中所示的是典型的光谱响应率。λp，λc分别表示探测器的峰值响应波长和长波限(或截止波长)。 在λλp的范围内，光谱响应随着波长的增大迅速减小，因为波长接近长波限，光子产生光电导的能力接近极限。 不同类型的光电导探测器有不同的光谱响应波段，图示出了本征型、杂质型光电导探测器的光谱特性。 杂质型的响应率低于本征型，因为杂质含量低，光电导能力差。 由于杂质的电离能小于本征的禁带宽度，所以杂质的长波限本征型的长波限。 直线型光电导： 上升： 下降： §4－3 实用光电导探测器件 一、本征型光电导探测器 1．碲镉汞（Hg1-xCdxTe）光电导探测器 采用半导体合金法，将化合物CdTe和HgTe混合成合金系统。 组分不同，禁带宽度是随x变化的： 应用：红外波段应用，在激光雷达、激光测距、光电对抗、制导及光通信等领域得到广泛应用