第八章电性材料.pptVIP

* 4、热电效应（三种） （1）塞贝克效应（温差引起电压） 两种不同材料A和B相连，两个接触点处在不同的温度T1和T2，断开点的温度为T0，那么断开点的两端就会产生一个电压ΔV的现象。 第八章 电性材料 * （1）塞贝克效应 第八章 电性材料 * （2）帕尔帖效应（通电引起吸放热） 两种材料A和B相接触时，若在接触点通电流，则在接触点会放热或吸热的现象。 第八章 电性材料 * （2）帕尔帖效应 第八章 电性材料 * （3）汤姆逊效应 当一段均匀材料A的两端具有温差，并有电流通过时，材料会吸热或放热的现象。 第八章 电性材料 * （3）汤姆逊效应图 第八章 电性材料 * 电光效应 电光效应：物质受到光照后引起某些电性 能的变化的现象。 电光材料：KH2PO4 BaTiO3 LiNbO3 ZnS GaAs 第八章 电性材料 * 入射光垂直加电压，晶体呈现双折射 第八章 电性材料 * 入射光垂直加电压，晶体呈现双折射 第八章 电性材料 * 电光快门示意图 第八章 电性材料 * 磁光效应 置于磁场中的物体受磁场影响后其光学特性发生变化的现象。 1846年法拉第发现平面偏振光（直线偏振光）通过带磁性的物体时，其偏振光将发生偏转，此现象称为磁光法拉第效应。 第八章 电性材料 * 磁光法拉第效应 第八章 电性材料 * 磁光克尔效应 照射到强电磁铁极面上的直线偏振光反射时，其偏振面偏转角度随磁场强度而变化 第八章 电性材料 * 磁光克尔效应图 第八章 电性材料 第八章电性材料. 谢谢 功能材料 第八章 电性材料 佟 运 祥 办公室：11号楼 1012 电 话： 8251 8173 Email: Tongyx@hrbeu.edu.cn * 第八章 电性材料 导体：电阻率 10-5 ～10-4 Ω·cm； 半导体：电阻率 10-4 ～1010 Ω·cm； （10-3 ～107 Ω·cm） 绝缘体：电阻率 1010 ～1014 Ω·cm * 第八章 电性材料 一、半导体材料 1、半导体的发展与用途 （1）半导体材料的发展 锗单晶最早用于制造二极管和三极管， 但是锗器件热稳定性不如硅。 1941多晶硅制成检波器;1948 拉出单晶硅。 1951 用四氯化硅还原法制备了多晶硅（第一代半导体开始应用）。 1954年和1958年相继研制成第一只硅单晶管和第一块集成电路，硅和电子器件相互促进，被称为“新石器时代”，硅产量和用量标志一个国家的电子工业水平。 二十世纪九十年代，第二代半导体砷化镓（GaAs）和磷化铟（InP）崭露头角。 * 第八章 电性材料 第三代半导体是以GaN材料P型掺杂的突破为起点，1992年GaN产业应用----美Shuji Nakamura教授制造第一支GaN发光二极管。 1999年日本Nichia公司制造第一支GaN蓝光激光器。在光显示、光储存、激光打印、光照明以及医疗和军事等领域有广阔的应用前景。 以GaN为代表的第三代半导体材料被誉为IT产业新的发动机。 预测销售2003（$10亿）至2009（$50亿） * 第八章 电性材料 （2）半导体的用途 制作晶体管、集成电路、电力电子器件的重要基础材料，支撑着通信、计算机、家电、网络、电子信息等产业。2002年我国销售收入1.4亿人民币，全球第三。 * 第八章 电性材料 2、半导体材料分类 ①元素半导体 金属-非金属Ge、Si、Se、Te等 ； Ge （2s22p2）sp3杂化。 ②化合物半导体 ⅢA--ⅤA AlP、AlS、AlSb、GaP、GaAs、GaSb、InP、InAs、InSb等 ③多元化合物半导体 AgGeSe2、AgGeTe2、 Cu2CdSnTe4、InXGa1-XN， AlXGa1-XN ④固溶体半导体 Ge-Si GaAs-GaP Hg1-xCdxTe ⑤半导体陶瓷 ⑥非晶态半导体 ⑦纳米半导体 * 第八章 电性材料 （1）硅和锗 ①理化性质 锗、本征电导率50Ω·cm ；硅的约为2.3×105 Ω·cm