第八章 晶界与相界.ppt

当两相结构相近而原子间距相差较大时，可形成半共格界面。界面的部分共格关系主要是通过一组刃型位错来调整和维持。 半共格界面上的位错间距取决于晶面的错配度δ δ很小，D很大，趋向共格 δ很大，D很大，即为非共格 界面的特性 1）界面能：晶界上原子排列不规则，处于较为的能量状态，因此形成单位面积时所增加的能量称为晶界能。 大角度晶界能最高，小角度晶界能较低，且位向差越小，晶界能越低，孪晶界界面能最低。 对合金相中相界，非共格界面能最高，共格相界能最低。半共格居中。 2）晶界在室温下对材料有强化作用。 3）相变时新相常在晶界上形核。 4）晶界熔点较低。 5）晶界的腐蚀过程比晶内快。 6）晶界常聚集较多的微量元素，晶界偏聚（吸附） 第八章 晶界与相界. 谢谢 第十一章 固体材料的界面 界面:是由一个相过渡到另一相的过渡区域 外部界面：晶体与其他介质接触的部分 内部界面：晶界、亚晶界、相界、孪晶界 界面和内部本体的区别 结构 化学组成 受力与内部本体 界面能 11.1 晶体表面 1.理想表面 系统不发生任何变化的表面 。 理想表面就是指表面的原子位置和电子密度都和体内一样 2.清洁表面 清洁表面指不存在任何污染的化学纯表面，即不存在吸附、催化反应或杂质扩散等物理、化学效应的表面。 高温热处理、离子轰击加退火、真空解理、真空沉积、场致蒸发等才能得到清洁表面，同时还必须保持在1．33X10-10Pa的超高真空中 弛豫:表面附近的点阵常数发生明显的变化 重构:表面原子重新排列，形成不同于体内的晶面。 3．吸附表面 吸附有外来原子的表面 11.2 表面吸附与偏析 附吸: 指气相中的原子或分子沾集在固 体(或液体)表面上 偏析: 指固溶体(或溶液)中的溶质原子富 集在表面层内 1.表面偶电层 表面形成一个势垒． 一些具有较大动能的电子可以穿透势垒，在表面形成一层稀薄的电子云，而体内邻近表面处的电子云密度有所降低，于是在表面形成一个偶电层． 2．物理吸附与化学吸附 ? 物理吸附是反应分子靠范德华力吸附在固体表面上 化学吸附，吸附剂和吸附物的原子和分子间发生电子 转移，改变了吸附分子的结构，类似化学反应。作用 力为静电库仑力。 化学吸附可分为： 离子吸附：发生完全的电子转移，吸附剂和被吸附物质变成离子，两者的结合为离子键 化学吸附：吸附剂和被吸附物质电子转移不完全，两者之一或双方都提供电子作为共有化电子，形成局部价键，结合力是共有化电子与离子实之间的静电库仑力 不同点： ①吸附热不同：化学吸附热大于物理吸附热 ②吸附和脱附的速率不同 ：化学吸附和脱附速率比物理 吸附的慢 ③吸附的选择性不同 ：化学吸附有选择性 ④吸附层的厚度不同 ：化学吸附单层，物理吸附可以单层 和多层 ⑤吸附态的光谱不同 ：物理吸附使峰位移 化学吸附产生新峰 物理吸附与化学吸附的关系 ?有些化学吸附要经过物理吸附之后才能进行 ?可能相互转化 ?有时难于区别 吸附的平衡吸附量取决于吸附剂和吸附物质本身，与温度、压力也有一定的关系 恒温 吸附情况下的化学势可以通过控制气压来固定。 偏析情况下的化学势可以通过控制体相中溶质的成分固定。 将与表面平衡的蒸汽看成理想气体 一、晶界 二维晶界 11.3、晶界 与相界 三维晶界 1、小角度晶界 1）对称倾侧晶界 2）非对称倾侧晶界 3）扭转晶界 2、大角度晶界 若界面原子同时处于两相点阵结点上，即两相原子在相界面上完全匹配时，该相界称为共格相界 二、相界 两相原子在相界面上无任何匹配关系，则该相界称为非共格相界。