存储单元可以用二极管、双极型三(精).pptVIP

数字电子技术 鹰潭职业技术学院应用工程系 作 业 7.3 * * 第7章 存 储 器(Memory) 存储器是大多数数字系统和计算机中不可缺少的部分，本章首先通过实训使读者了解电可编程只读存储器EPROM的使用方法，然后详细介绍RAM和ROM的种类及工作原理，最后介绍几种常用的集成存储器芯片以及存储器的具体应用。 ● 实训电路图 1 1 1 1 1 1 1 0 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 0 0 0 0 0 0 0 1 1 1 1 1 1 1 1 0 0 0 1 1 1 1 1 1 1 1 0 1 0 0 0 0 1 1 1 1 1 1 按照内部信息的存取方式，存储器通常可以分为RAM和ROM； ◆存储器的种类 (存储矩阵 、地址译码、片选和读写) 32行×32列矩阵 存储器容量： 256×4 （字数）×（位数） 存储器单元选择： 32根行线、8根列线 1） 存储矩阵 ▲ 因此，该RAM存储矩阵共需要32根行选择线X0~X31和8根列选择线Y0~Y7。 随机存取存储器RAM 1、RAM结构 RAM: Random Access Memory 随机存取存储器 ROM: Read Only Memory 只读存储器 A7~A0，选中哪个单元? ▲ 因此，该RAM存储矩阵共需要5+3根地址线A7~A0即可全部寻址。 2）地址译码 译 码 器 …… 25=32 A0 A1 A2 A3 A4 译码器 A5 A6 A7 23=8 1 1 1 1 1 0 0 0 字线 位线 [31，0] 3）读/写与片选控制 =1时：所有的I/O 端均被禁止，不能进行读或写操作。 =0时：相应片存储器被选中，可进行读或写操作。 R/ =1，执行读操作，将存储单元中的数据送到输出端； R/ =0，执行写操作，将I/O端数据写入存储单元中。 当片选信号 =1时，三态门G1，G2，G3均为高阻态，此片未选中，不能进行读或写操作。当片选信号 =0时，芯片被选中。若R/ =1，则G3导通，G1、G2高阻态截止。此时若输入地址A7～A0于是位于[31，0]的存储单元所存储的信息送出到 片选与读写控制电路 I/O端，存储器执行的是读操作；若R/ =0，则G1、G2导通，G3高阻态截止，I/O端的数据以互补的形式出现在数据线D、 上，并被存入[31，0]存储单元，存储器执行的是写操作。 随机存取存储器RAM用于存放二进制信息（数据和运算的中间结果等）。它可以在任意时刻，对任意选中的存储单元进行信息的存入（写）或取出（读）的信息操作，因此称为随机存取存储器。其结构示意图如图7.2所示。 ◆ RAM的结构 随机存取存储器一般由存储矩阵、地址译码器、片选控制和读/写控制电路等组成，参见图7.2。 RAM结构示意图 D0 D1 D2 D3 A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A8 R/ 256×4 RAM 2、 RAM的存储单元 RAM的核心元件是存储矩阵中的存储单元，按工作原理分，RAM的存储单元可分为: 1. 静态存储单元(SRAM) SRAM是利用双稳态触发器来保存信息的，只要不断电，信息是不会丢失的，所以谓之静态； DRAM利用MOS?（金属氧化物半导体）电容存储电荷来储存信息，电容是会漏电的，所以必须通过不停的给电容充电来维持信息，这个充电的过程叫再生或刷新（REFRESH）。由于电容的充放电是需要相对较长的时间的，DRAM的速度要慢于SRAM。但SRAM免刷新的优点需要较复杂的电路支持，如一个典型的SRAM的存储单元需要六个晶体管（三极管）构成，而DRAM的一个存储单元最初需要三个晶体管和一个电容，后来经过改进，就只需要一个晶体管和一个电容了。由此可见，DRAM的成本、集成度、功耗等明显优于SRAM。 2. 动态存储单元DRAM 3、 RAM的扩展 ( RAM的扩展分为位扩展和字扩展两种) 1. 位扩展 例7.1 试用1024×1RAM扩展成1024×8存储器。 解：扩展为1024×8存储器需要 1024×1RAM的片数为: N=总存储容量÷片存储容量= =8(片) ◆ 各片地址线的寻址范围相同： 00 0000 0000 ~ 11 1111 1111 (000H~3FFH) 2. 字扩展 字数若增加，地址线需要做相应的增加，下面举例说明。 例