第七章半导体存储器和可编程逻辑器件数字电路技术基础(清华大(精).pptVIP

《数字电子技术基础》电子课件 郑州大学电子信息工程学院 * 第七章 半导体存储器和可编程逻辑器件 7.1 概述 能存储大量二值信息的器件 一、一般结构形式 二、分类 1、从存/取功能分： ①只读存储器 (Read-Only-Memory） ②随机读/写 （Random-Access-Memory） 2、从工艺分： ①双极型 ②MOS型 7.2 ROM 7.2.1 掩膜ROM 一、结构 两个概念： 存储矩阵的每个交叉点是一个“存储单元”，存储单元中有器件存入“1”，无器件存入“0” 存储器的容量：“字数 x 位数” 掩膜ROM的特点： 出厂时已经固定，不能更改，适合大量生产 简单，便宜，非易失性 7.2.2 可编程ROM（PROM） 总体结构与掩膜ROM一样，但存储单元不同 7.2.2 可编程ROM（PROM） 总体结构与掩膜ROM一样，但存储单元不同 7.2.3 可擦除的可编程ROM（EPROM） 总体结构与掩膜ROM一样，但存储单元不同 一、用紫外线擦除的PROM（UVEPROM） 二、电可擦除的可编程ROM（E2PROM） 总体结构与掩膜ROM一样，但存储单元不同 三、快闪存储器（Flash Memory） 为提高集成度，省去T2（选通管） 改用叠栅MOS管（类似SIMOS管） 7.3 RAM 7.3.1 静态随机存储器（SRAM） 一、结构与工作原理 二、SRAM的存储单元 7.3.2* 动态随机存储器（DRAM） 动态存储单元是利用MOS管栅极电容可以存储电荷的原理 7.4 存储器容量的扩展 7.4.1 位扩展方式 适用于每片RAM,ROM字数够用而位数不够时 接法：将各片的地址线、读写线、片选线并联即可 7.4.2 字扩展方式 适用于每片RAM,ROM位数够用而字数不够时 7.5 用存储器实现组合逻辑函数 一、基本原理 从ROM的数据表可见： 若以地址线为输入变量，则数据线即为一组关于地址变量的逻辑函数 7.5 用存储器实现组合逻辑函数 一、基本原理 从ROM的数据表可见： 若以地址线为输入变量，则数据线即为一组关于地址变量的逻辑函数 二、举例 7.4 概述 一、PLD的基本特点： 1. 数字集成电路从功能上有分为 通用型、专用型两大类 2. PLD的特点：是一种按通用器件来生产，但逻辑功能是由用户通过对器件编程来设定的 二、PLD的发展和分类 PROM是最早的PLD PAL 可编程逻辑阵列 FPLA 现场可编程阵列逻辑 GAL 通用阵列逻辑 EPLD 可擦除的可编程逻辑器件 FPGA 现场可编程门阵列 ISP-PLD 在系统可编程的PLD 三、LSI中用的逻辑图符号 FPLA 组合电路和时序电路结构的通用形式 组合电路和时序电路结构的通用形式 7.5 PAL（Programmable Array Logic） 一、基本结构形式 可编程“与”阵列+固定“或”阵列+输出电路 最简单的形式为： 二、编程单元 出厂时， 所有的交叉点均有熔丝 三、PAL的输出电路结构和反馈形式 1、专用输出结构 2. 可编程输入/出结构 3. 寄存器输出结构 4. 异或输出结构 5. 运算反馈结构 7.6 GAL（Generic Array Logic） 一、电路结构形式 可编程“与”阵列 + 固定“或”阵列 + 可编程输出电路 OLMC 三、OLMC 7.7 EPLD 一、结构特点 相当于 “与-或”阵列（PAL） + OLMC 二、采用EPROM工艺 集成度提高 7.8 FPGA（Field Programmable Gate Array） 一、基本结构 1. IOB 2. CLB 3. 互连资源 4. SRAM分布式每一位触发器控制一个编程点 二、编程数据的装载 7.9 PLD的编程 以上各种PLD均需离线进行编程操作，使用开发系统 一、开发系统 硬件：计算机+编程器 软件：开发环境（软件平台） VHDL, Verilog 真值表，方程式，电路逻辑图（Schematic）, 状态转换图（ FSM） 二、步骤 抽象（系统设计采用Top-Down的设计方法） 选定PLD 选定开发系统 编写源程序（或输入文件） 调试，运行仿真，产生下载文件 下载 测试 数字 系统 A0~An-1 W0 W(2n-1) D0 Dm 用途：产生组合逻辑电路 用途：组合逻辑电路， 有三态控制可实现总线连接 可将输出作输入用 用途：产生时序逻辑电路 时序逻辑电路 还可便于对“与-或”输出求反 时序逻辑电路 可产生A、B的十六种算术、逻辑运算 二、编程单元 采用E2CMOS 可改写 GAL16V8 数