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電子學含實習 第 2 章 二極體的物理性質及特性 2-1　自由電子與電洞 2-2　P型半導體與N型半導體 2-3　PN接面二極體 2-4　稽納二極體 2-5　特殊二極體 D719 2-1 自由電子與電洞 原子模型 原子序代表原子核外圍的電子數，原子各層軌道的電子依序為2、8、18、32...以2n2 方式填滿軌道（n：軌道層）。例如：矽（Si）原子序為14。 圖2-1-1　原子模型 2-1 自由電子與電洞 能隙圖 共價電子脫離共價鍵，形成自由電子所需的能量，稱之為價帶與傳導帶之間的能隙。能隙越大者代表價電子要變成自由電子更困難，導電不易。在室溫下矽（Si）與鍺（Ge）的能隙分別為1.1eV 及0.66eV。 圖2-1-2　能隙圖 2-1 自由電子與電洞 本質（純）半導體 在室溫下，大約1012個原子中有1個原子獲得足夠熱能，使晶體結構的共價鍵斷裂，共價電子脫離軌道形成自由電子。溫度越高，自由電子越多，導電性越佳，呈現負溫度係數電阻特性。 圖2-1-3　晶體結構中電子電洞產生情形 2-1 自由電子與電洞 本質（純）半導體 共價鍵上的電子脫離後所留下的空缺，稱作電洞。此電洞會吸引相鄰共價鍵上的電子，使其再度跳脫共價鍵的束縛，便反覆出現「電子電洞對」的現象，因此形成「電子流」與「電洞流」。且電洞流（傳統電流）方向與電子流方向為反方向運動。 圖2-1-4　電子流與電洞