集成电路期末复习.ppt

* * 10.5.1 电子束光刻 电子束的散射有前向散射和背散射，背散射角大，是造成邻近效应的主要原因 * * 10.5.2 X射线光刻 以高强度的电子束轰击金属靶材，使其发射X射线，X射线作为曝光光源，λ在 0.2-4nm。 掩膜版：为了X-射线能够透过，掩膜版很薄，对X射线透明的Si、SiN、BN和聚酯薄膜为基片在上面淀积金薄膜，以此作为空白版，金膜能吸收X射线，以电子束制版方法制备掩膜版版。 * * 10.5.2 X射线光刻 影响分辨率的不是衍射，而是半阴影和几何畸变 * * 10.5.2 X射线光刻 在电子抗蚀剂中加入铯、铊等，能增加抗蚀剂对X-射线的吸收能力，可以使之作为X-射线抗蚀剂。如PMMA 。 * * 10.5.2 X射线光刻 同步辐射x射线源，是利用高能电子束在磁场中沿曲线轨道运动时发出的。 同步辐射方向性强，准直性好，可以近似看作平行光源。光源的线度尺寸约为1mm，所以半阴影效应和几何畸变可以忽略。 同步辐射x射线光学系统 * * 10.5.3 离子束光刻 离子束注入，是利用元素离子本身所具有的化学性质--掺杂效应，通过将高能杂质离子注入到半导体晶体表面，以改变晶体表面的化学性质和物理性质；另一方面则可以利用离子本身具有的能量来实现各种工艺目的。按照离子能量的不同，工艺目的也不同，如离子能量在10keV以下时，离子束常被用来作为离子束刻蚀和离子束外延；当能量在几十至70keV时，则被用作离子束曝光。 * * 10.5.3 离子束光刻 聚焦离子束系统截面示意图 * * 10.6 光刻设备 从平面工艺诞生以来，光刻设备可以分为五代。每一代又以那个时期获得CD和分辨率所需的设备类型为代表。这五个精细光刻时代的代表是： 接触式光刻机； 接近式光刻机； 扫描投影光刻机； 分步重复投影光刻机； 步进扫描光刻机。 * 刻蚀 概念 种类 * * 11.1 概述 广义而言，刻蚀技术包含了所有将材质表面均匀移除或是有选择性地部分去除的技术，可大体分为湿法刻蚀（Wet Etching）和干法刻蚀（Dry Etching）两种方式。 影响刻蚀工艺的因素分为外部因素和内部因素。 外部因素很难改变,内部因素就是在设备稳定的情况下对工艺结果起到决定性作用。 * * 11.2 湿法刻蚀 湿法腐蚀是化学腐蚀，晶片放在腐蚀液中（或喷淋），通过化学反应去除窗口薄膜，得到晶片表面的薄膜图形。 湿法刻蚀大概可分为三个步骤：①反应物质扩散到被刻蚀薄膜的表面。②反应物与被刻蚀薄膜反应。③反应后的产物从刻蚀表面扩散到溶液中，并随溶液排出。 一般进行最慢的是反应物与被刻蚀薄膜反应的步骤，反应速率即是刻蚀速率。 * * 湿法腐蚀特点 湿法腐蚀工艺简单，无需复杂设备 保真度差，腐蚀为各向同性，A=0，图形分辨率低。 选择比高 均匀性好 清洁性较差。 * * 11.3 干法刻蚀技术 干法腐蚀是应用等离子技术的腐蚀方法，刻蚀气体在反应器中等离子化，与被刻蚀材料反应（或溅射），生成物是气态物质，从反应器中被抽出。 干法刻蚀是ULSI的标准腐蚀工艺。 * * 干法刻蚀特点 与湿法腐蚀比较，优点： 保真度好，图形分辨率高； 湿法腐蚀难的薄膜如氮化硅等可以进行干法刻蚀。 清洁性好，气态生成物被抽出；无湿法腐蚀的大量酸碱废液。 缺点 设备复杂 选择比不如湿法 * * 干法刻蚀的方式 依据等离子放电条件、反应气体、系统的不同，有多种干法刻蚀方式。 物理性刻蚀 化学性刻蚀（又称等离子体刻蚀） 物理化学性刻蚀（又称反应离子刻蚀RIE） * 多层互连 铜布线 * 12.1.4 铜多层互连系统工艺流程 * 双大马士革法铜布线 1: SiO2 淀积 说明： 用 PECVD 淀积内层氧化硅到希望的厚度，这里没有关键的间隙填充，因此PECVD 是可以接受的。 SiO2 * 2：Si3N4 刻蚀阻挡层淀积 说明： 厚 250 ? 的 Si3N4 刻蚀阻挡层被淀积在内层氧化硅上。SiN需要致密，没有针孔，因此使用 HDPCVD 。 Si3N4 * 3：确定通孔图形和阻挡层 说明： 光刻确定图形、干法刻蚀通孔窗口进入 SiN. 中，刻蚀完成后去掉光刻胶。 SiN * 4：淀积保留介质的 SiO2 说明： 为保留层间介质，PECVD 氧化硅淀积。 SiO2 * 5：确定互连图形 说明： 光刻确定氧化硅槽图形，带胶。在确定图形之前将通孔窗口放在槽里。 Photoresist * 6：刻蚀互连槽和通孔 说明： 在层间介质氧化硅中干法刻蚀沟道，