2020届高考优生专题突破（十四）物质结构与性质.docVIP

PAGE 10/ NUMPAGES 10 2020届高考优生专题突破(十四)　物质结构与性质 (限时：45分钟) 1．(2018·山西六校第四次名校联考)镍与ⅤA族元素形成的化合物是重要的半导体材料，应用最广泛的是砷化镓(GaAs)，回答下列问题： (1)基态Ga原子的核外电子排布式为____________________________， 基态As原子核外有________个未成对电子。 (2)镓失去电子的逐级电离能(单位：kJ·mol－1)的数值依次为577、1 984.5、2 961.8、6 192，由此可推知镓的主要化合价为________和＋3。砷的电负性比镍________(填“大”或“小”)。 (3)比较下列镓的卤化物的熔点和沸点，分析其变化规律及原因： ____________________________________________________________ ____________________________________________________________。 镓的卤化物 GaCl3 GaBr3 GaI3 熔点/℃ 77.75 122.3 211.5 沸点/℃ 201.2 279 346 GaF3的熔点超过1 000 ℃ (4)二水合草酸镓的结构如图所示，其中镓原子的配位数为________，草酸根中碳原子的杂化方式为________。 (5)砷化镓熔点为1 238 ℃，立方晶胞结构如图所示，晶胞参数为a＝565 pm。该晶体的类型为________，晶体的密度为________g·cm－3(设NA 【解析】　(1)Ga位于第四周期ⅢA族，为31号元素，因此核外电子排布式为[Ar]3d104s24p1(或1s22s22p63s23p63d104s24p1)；As位于第ⅤA族，核外有3个未成对电子。 (2)电离能是气态原子失去电子所需要的能量，由镓的前四级电离能可知，其主要化合价为＋1和＋3；As为非金属，Ni为金属，因此砷的电负性比镍大。 (3)根据表格中的数据，GaCl3、GaBr3、GaI3的熔、沸点依次升高，它们均为分子晶体，结构相似，相对分子质量依次增大，分子间作用力依次增强；GaF3熔点比其余三个高很多，说明GaF3属于离子晶体。 (4)根据结构图可知，Ga的配位数为4，C原子有3个σ键，无孤电子对，因此C的杂化类型为sp2。 (5)该晶体熔点高，属于原子晶体，Ga位于顶点和面心，个数为8×eq \f(1,8)＋6×eq \f(1,2)＝4，As位于晶胞内部，原子个数为4，化学式为GaAs，晶胞的质量为eq \f(4×?70＋75?,NA) g，晶胞的体积为(565×10－10)3 cm3，则晶胞的密度为eq \f(4×?70＋75?,NA×?565×10－10?3) g·cm－3。 【答案】　(1)[Ar]3d104s24p1(或1s22s22p63s23p63d104s24p1)　3 (2)＋1　大　(3)GaCl3、GaBr3、GaI3的熔、沸点依次升高，它们均为分子晶体，结构相似。相对分子质量依次增大，分子间作用力依次增强　GaF3为离子晶体　(4)4　sp2　(5)原子晶体　eq \f(4×?70＋75?,NA×?565×10－10?3) 2．(2018·宝鸡模拟)向硫酸铜水溶液中逐滴加入氨水，先形成蓝色沉淀，继续滴加氨水，沉淀溶解，得到深蓝色的透明溶液，再向溶液中加入乙醇有深蓝色晶体(化学式为[Cu(NH3)4SO4·H2O])析出。 (1)写出上述实验前两步反应的离子方程式_______________________、 ____________________________________________________________。 (2)铜元素基态原子的电子排布式为_____________________________， 铜单质晶体中的原子堆积模型属于________(填堆积模型名称)堆积。 (3)在上述深蓝色晶体所含的非金属元素中，电负性最大的是________(填元素符号)，第一电离能最大的是________(填元素符号)。该晶体中的阴离子的立体构型是________，阴离子的中心原子的杂化方式为________。 (4)氨的沸点________(填“高于”或“低于”)膦(PH3)，原因是____________________________________________________________。 (5)Cu的一种氯化物晶胞结构如图所示，该氯化物的化学式是________。若该晶体的密度为ρ g·cm－3，以NA表示阿伏加德罗常数，则该晶胞的边长为________nm。 【解析】　(3)该深蓝色晶体中的阴离子为SOeq