陶瓷工艺学第六章.ppt

银的烧渗过程可分为四个阶段。① 第一阶段由室温至350℃，主要是烧除银浆中的黏结剂。② 第二阶段350～500℃，这一阶段主要是碳酸银及氧化银分解还原为金属银，升温速度可稍快，但因仍有少量气体逸出，也应适当控制。③ 第三阶段由500℃到最高烧渗温度。④ 第四阶段为冷却阶段。从缩短周期及获得结晶细密的优质银层来看，冷却速度越快越好。但降温过快，要防止瓷件开裂，因此降温速度要根据瓷件的大小及形状等因素来决定，一般每小时不要超过350~400℃。通常采用随炉冷却，以防止瓷件炸裂。 (5) 烧银 烧银的目的是在高温作用下使瓷件表面上形成连续、致密、附着牢固、导电性良好的银层。烧银前要在60℃的烘箱内将银浆层烘干，使部分溶剂挥发，以免烧银时银层起鳞皮。烧银设备可用箱式电炉或小型电热隧道窑。 电子陶瓷表面传统的金属化工艺通常采用镀银法，由于该工艺复杂、设备投资大、成本高，而且镀银层的可焊性较差，因此，提出了以化学镀镍代替镀银的工艺，其优点如下： ① 镀层厚度均匀，能使瓷件表面形成厚度基本一致的镀层； ② 沉积层具有独特的化学、物理和力学性能，如抗腐蚀、表面光洁、硬度高、耐磨良好等； ③ 投资少，简便易行，化学镀不需要电源，施镀时只需直接把镀件浸入镀液即可。 化学镀镍法适用于瓷介质电容器、热敏电阻等几种装置零件。化学镀镍是利用镍盐溶液在强还原剂(次磷酸盐)的作用下，在具有催化性质的瓷件表面上，使镍离子还原成金属，次磷酸盐分解出磷，从而获得沉积在瓷件表面的镍磷合金层。 6.4.2.2 化学镀镍法 瓷件表面均匀地吸附一层具有催化活性的颗粒，这是表面沉镍工艺的关键。为此，先使瓷件表面吸附一层SnCl2敏化剂，再把它放在PbCl2溶液中，使贵金属还原并附在瓷件表面上，成为诱发瓷件表面发生沉积镍反应的催化膜。 (1) 表面处理 目的是除掉瓷件表面的油污和灰尘，以增加化学镀层和基体的结合强度。 (2) 粗化 粗化的实质是对陶瓷表面进行刻蚀，使表面形成无数凹槽、微孔，造成表面微观粗糙，以增大基体的表面积，确保化学镀所需要的“锁扣效应”，从而提高镀层与基体的结合强度。 化学镀的工艺流程为陶瓷片→水洗→除油→水洗→粗化→水洗→敏化→水洗→活化→水洗→化学镀→水洗→热处理。 (4) 预镀 预镀是在瓷件表面形成很薄的均匀的金属镍膜，并清洗掉多余的活化液的过程。预镀液的组成为次亚磷酸钠30g、硫酸镍0.048g、水1000mL，预镀3～5min。 (5) 终镀 是在瓷件表面形成均匀的一定厚度的镍磷合金层。镀液有酸性和碱性两种。碱性镀液在施镀过程中逸出氨，使镀液的pH值迅速下降，为维持一定的沉积速率，必须不断地添加氨水。 (6) 热处理 化学镀镍后形成的金属镍层与瓷件的结合强度较低，表面易氧化，镍层松软。经热处理后强度大大提高。 (3) 敏化和活化(催化) 催化操作使陶瓷粉体表面具有活性，使化学镀反应能够在该表面进行。催化的好坏影响反应的进行，更会影响镀覆的质量，尤其是镀覆的均匀性。 真空蒸发镀膜又称为真空蒸镀，它是在功能陶瓷表面形成导电层的方法，如镀铝、金镀等，具有镀膜质量较高，简便实用等优点。用真空溅射方法(如阴极溅射、高频溅射等) ，可形成合金和难熔金属的导电层以及各潮青铜)种氧化物、钛酸钡等化合物薄膜。 6.4.2.3 真空溅射镀膜 在真空状态下，将待镀材料加热后，达到一定的温度即可蒸发，这时待镀材料以分子或原子的形态进入空间，由于其环境是真空，因此，无论是金属还是非金属，在这种真空条件下，蒸发要比常压下容易得多。 陶瓷-金属封接广泛用于真空电子技术、微电子技术、激光和红外技术、宇航工业、化学工业等领域。在陶瓷与金属的连接过程中，要选用适当的连接方法。 陶瓷与金属的连接方法有多种，不管采用哪种类型的封接工艺，都必须满足下列性能要求： ① 电气特性优良，包括耐高电压，抗飞弧，具有足够的绝缘、介电性能等； ② 化学稳定性高，能耐适当的酸、碱清洗，不分解，不腐蚀； ③ 热稳定性好，能够承受高温和热冲击作用，具有合适的线膨胀系数； ④ 可靠性高，包括足够的气密性，防潮性和抗风化作用等。 6.5 陶瓷-金属封接技术 玻璃焊料封接又称为氧化物焊料法，即利用附着在陶瓷表面的玻璃相(或玻璃釉)作为封接材料。玻璃焊料适合于陶瓷和各种金属合金的封接(包括陶瓷与陶瓷的封接)，特别是强度和气密性要求较高的功能陶瓷。如集成电路、高密度磁头的磁隙、硅芯片、底座、传感器、微波管、真空管、高压钠灯Nb管(针)与氧化铝透明陶瓷管的封接等。 (1) 两者的膨胀系数接近 一般来讲，在从室温到低于玻璃退火温度上限的温度范围内，玻璃和金属的膨胀系数尽可能一致，以便于制得无内应力的封接体。 6.5.1 玻璃