大功率两单元MPD系列IGBT模块.PDFVIP

第41 卷第7 期 电力电子技术 Vol.41 No.7 2007 年7 月 Power Electronics July 2007 大功率两单元MPD 系列IGBT 模块 Michael Sleven 袁 Prasad Bhalerao 袁 Robert Wiatr 渊三菱电机欧洲袁 德国冤 摘要院作为高密度功率半导体器件的领航者袁三菱电机采用最新的CSTBTM 硅片技术开发出了大功率两单元功 率模块袁 额定值达到900A/ 1200V尧1400A/ 1200V 和 1000A/ 1700V 这种具有独特设计优势的大功率两单元渊Mega Power Dual 冤IGBT 模块适用于大功率UPS 尧风能发电和大功率电动机驱动 介绍了MPD 模块的结构特点和电气特性 关键词院半导体元器件/ 载流子存储式沟槽栅型双极性晶体管曰 功率循环能力