半导体物理与器件6.ppt

6.3.5 Haynes-Shockley Experiment 6.4 准费米能级 热平衡条件下 6.4 准费米能级 过剩载流子产生时 EFn和EFp分别是电子和空穴的准费米能级 6.5 过剩载流子的寿命 6.5.1 Shockley-Read-Hall Theory of recombination Trap：recombination center Process1：Capture of electron Process2：Emission of electron Process3：Capture of hole Process4： Emission of hole 受主型陷阱(Trap)的俘获和发射过程 6.5 过剩载流子的寿命 6.5 过剩载流子的寿命 6.5 过剩载流子的寿命 6.5 过剩载流子的寿命 6.5 过剩载流子的寿命 6.5 过剩载流子的寿命 6.6 表面效应 Surface Effects 6.6.1 表面态 作业 P164 6.2 P165 6.11 P167 6.31 第六章 半导体中的非平衡过剩载流子Nonequilibrium Excess Carriers in Semiconductors 非平衡载流子也叫过剩载流子。 双极输运(Ambipolar Transport)是指具有相同扩散系数、迁移率和寿命的过剩电子和空穴的扩散、迁移和复合过程。 准费米能级(Quasi-Fermi Level)：处于非平衡状态的半导体的费米能级。 6.1载流子的产生与复合 6.1.1平衡状态半导体 产生generation—电子和空穴的生成过程 复合recombination—电子和空穴的消失过程 Gn0=Gp0 对于直接带间direct band-to-band产生来说，电子和空穴是成对出现的， Gn0和Gp0分别为电子和空穴的产生率，单位是＃/ cm3-s 对于直接带间复合来说，电子和空穴是成对消失的， Rn0和Rp0分别为电子和空穴的复合率，单位是＃/ cm3-s Rn0=Rp0 对于热平衡状态来说，电子和空穴的浓度与时间无关， 因此，产生和复合的概率相等 Gn0=Gp0 ＝Rn0=Rp0 6.1.2过剩载流子的产生与复合 6.1.2过剩载流子的产生与复合 6.1.2过剩载流子的产生与复合 对P型半导体 对n型半导体 小注入：掺入的过剩载流子浓度 远小于热平衡时多数载流子的浓度； 对P型半导体， 对N型半导体， 6.2过剩载流子的性质 6. 2. 1 连续性方程 一维空穴粒子流密度 微分体积元中单位时间内x方向的粒子流产生空穴的净增量 考虑空穴的产生率和复合率也会影响微分体积元中空穴的浓度 6. 2. 1 连续性方程(Continuity Equations) 单位时间的空穴浓度净增量 空穴的连续性方程 电子的连续性方程 6. 2. 2 与时间有关的扩散方程 上一章推导的电流密度 粒子流流量 代入连续性方程，得到 6. 2. 2 与时间有关的扩散方程 6. 3 双极输运(Ambipolar Transport) 6. 3.1 双极输运方程的推导 通过泊松方程将过剩电子和空穴的浓度与内建电场联系起来 假定 6. 3.1 双极输运方程的推导 电中性条件：假设任意空间和时间的过剩电子浓度都被相等的空穴浓度平衡掉。 乘 乘 两项相加消去 6. 3.1 双极输运方程的推导 m’双极迁移率 D’：双极扩散系数 由于n和p中都包含过剩载流子浓度δn，所以D’和m’都不是常数 双极输运方程是一个非线性微分方程 6. 3.2 掺杂及小注入(Low Injection)的约束条件 小注入：掺入的过剩载流子浓度远小于热平衡时多数载流子的浓度； 对p型半导体， 对n型半导体， 6. 3.2 掺杂及小注入的约束条件 6. 3.2 掺杂及小注入的约束条件 对于电子 对于空穴 6. 3.3 双极输运方程的应用 6. 3.3 双极输运方程的应用 6. 3.3 双极输运方程的应用 6. 3.3 双极输运方程的应用 6. 3.3 双极输运方程的应用 6. 3.3 双极输运方程的应用 6. 3.3 双极输运方程的应用 6.3.4 介电驰豫时间常数 空穴注入到n型半导体 泊松方程 电流方程 连续性方程 6.3.4 介电驰豫时间常数 介电驰豫时间常数 6.3.5 Haynes-Shockley Experiment 6.3.5 Haynes-Shockley Experiment