模拟电子技术第1章知识点归纳.pptVIP

黄河水利职业技术学院 曾令琴 练习1 练习2 练习3 已知如图所示电路中稳压管的稳定电压UZ＝6V， 最小稳定电流IZmin＝5mA，最大稳定电流IZmax＝25mA；负载电阻RL＝6004。求解限流电阻R的取值范围。 练习4 已知稳压管的稳压值UZ＝6V，稳定电流的最小值 IZmin＝5mA。求电路中UO1和UO2各为多少伏。 练习1 测得放大电路中六只晶体管的直流电位如下图 所示。在圆圈中画出管子，并分别说明它们 是硅管还是锗管。 判断方法： 1.中间电位点是b，与它相差0.7V或0.2V的电位点是e， 另一个就是c。 2.b、e点的电位差是0.7V，为硅管，0.2V，为锗管。 3.b点高于e点电位，为NPN型，否则，为PNP型。 1.三极管起电流放大作用，其内部、外部条件分别要满足哪些？ 你会做吗？ 2.使用三极管时，只要①集电极电流超过ICM值；②耗散功率超过PCM值；③集—射极电压超过U（BR）CEO值，三极管就必然损坏。上述说法哪个是对的？ 3.用万用表测量某些三极管的管压降得到下列几组数据，说明每个管子是NPN型还是PNP型？是硅管还是锗管？它们各工作在什么区域？ UBE＝0.7V，UCE＝0.3V； UBE＝0.7V，UCE＝4V； UBE＝0V，UCE＝4V； UBE＝－0.2V，UCE＝－0.3V； UBE＝0V，UCE＝－4V。 NPN硅管，饱和区 NPN硅管，放大区 NPN硅管，截止区 PNP锗管，放大区 PNP锗管，截止区 1.5 单极型三极管 双极型三极管是利用基极小电流去控制集电极较大电流的 电流控制型器件，因工作时两种载流子同时参与导电而称之 为双极型。单极型三极管因工作时只有多数载流子一种载流 子参与导电，因此称为单极型三极管；单极型三极管是利用 输入电压产生的电场效应控制输出电流的电压控制型器件。 上图所示为单极型三极管产品实物图。单极型管可分为结型和绝缘栅型两大类，其中绝缘栅型场效应管应用最为广泛，其 中又分增强型和耗尽型两类，且各有N沟道和P沟道之分。 1、MOS管的基本结构 N+ N+ 以P型硅为衬底 B D G S 二氧化硅(SiO2)绝缘保护层 两端扩散出两个高浓度的N区 N区与P型衬底之间形成两个PN结 由衬底引出电极B 由高浓度的N区引出的源极S 由另一高浓度N区引出的漏极D 由二氧化硅层表面直接引出栅极G 杂质浓度较低，电阻率较高。 N+ N+ 以P型硅为衬底 B D G S 大多数管子的衬底在出厂前已和源极连在一起 铝电极、金属 （Metal） 二氧化硅氧化物 （Oxide） 半导体 （Semiconductor) 故单极型三极管又称为MOS管。 MOS管电路的连接形式 N+ N+ P型硅衬底 B D G S + － UDS + － UGS 漏极与源极间 电源UDS 栅极与源极间 电源UGS 如果衬底在出厂前未连接到源极上，则要根据电路具体情况正确连接。一般P型硅衬底应接低电位，N型硅衬底应接高电位，由导电沟道的不同而异。 不同类型MOS管的电路图符号 D S G B衬底 N沟道增强型图符号 D S G B衬底 P沟道增强型图符号 D S G B衬底 N沟道耗尽型图符号 D S G B衬底 P沟道耗尽型图符号 由图可看出，衬底的箭头方向表明了场效应管是N沟道还是P沟道：箭头向里是N沟道，箭头向外是P沟道。 虚线表示 增强型 实线表示 耗尽型 2. 工作原理 以增强型NMOS管为例说明其工作原理。N沟道增强型MOS管不存在原始导电沟道。 当栅源极间电压UGS=0 时，增强型MOS管的漏极和源极之间相当于存在两个背靠背的PN结。 N+ N+ P型硅衬底 B D G S 不存在 原始沟道 + － UDS UGS=0 此时无论UDS是否为0，也无论其极性如何，总有一个PN结处于反偏状态，因此MOS管不导通，ID=0。MOS管处于截止区。 P PN结 PN结 ID=0 怎样才能产生导电沟道呢？ 在栅极和衬底间加UGS且与源极连在一起，由于二氧化硅绝缘层的存在，电流不能通过栅极。但金属栅极被充电，因此聚集大量正电荷。 + － + － N+ N+ P型硅衬底 B D G S UDS=0 UGS 电场力 排斥空穴 二氧化硅层在 UGS作用下被充 电而产生电场 形成耗尽层 出现反型层 形成 导电沟道 电场吸引电子 2. 二极管的伏安特性 U(V) 0.5 0 0.8 -50 -25 I (mA) 20 40 60 (?A) 40 20 二极管的伏安特性是指流过二极管的电流与两端所加电压的函数关系。二极管既然是一个PN结，其伏安特性当然具有“单向导电性”。 二极管的伏安特性呈