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第九章半导体异质结构 9.1 半导体异质结及其能带图 1 半导体异质结 两种不同半导体材料接触形成的结 反型异质结：由导电类型相反的两种不同的半导体 单晶材料所形成的异质结 如p-Ge和n-GaAs 记为p-nGe-GaAs 如p-nGe-Si, n-pGe-GaAs 同型异质结：导电类型相同的两种半导体材料所形 成的异质结 如n-nGe-Si, p-p Ge-GaAs ,p-pSi-GaP 一般把禁带宽度较小的半导体材料写在前面。 2. 理想异质结的能带图 本章小结 一 重要术语解释 1．异质结：两种不同的半导体材料接触形成的结。 2．反型异质结： 由导电类型相反的两种不同的半 导体单晶材料所形成的异质结。 如：p(Ge)-n(GaAs); p(Ge)-n(Si)等。 3．同型异质结：由导电类型相同的两种不同的半导 体单晶材料所形成的异质结。 如：n(Ge)-n(GaAs); p(Ge)-p(Si)等。 本章小结 二 知识点 学完本章后，读者应具备如下能力： 1．会画理想突变反型异质结的能带图 2．会画理想突变同